发明专利 已授权

一种制备纳米钴薄膜包覆铜颗粒复合颗粒膜的方法

📄 申请号:CN201510444878.9 📄 发布日:2026/07/23

著录项目信息

申请日
2015-07-27
公开号
CN105088157B
公开日
2017-12-15
申请人
河南科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

电子元器件, 电磁屏蔽, 导电材料, 催化材料, 磁记录材料

摘要

一种制备纳米钴薄膜包覆铜颗粒复合颗粒膜的方法,首先在单晶硅基体上沉积Cu‑Zr合金膜,然后在一定条件下退火,从而在单晶硅基体表面制备出ZrSix/Cu颗粒复合结构,然后在制备的ZrSix/Cu颗粒复合结构的表面沉积一层纳米Co薄膜即制得产品。本发明在单晶硅基体上制备Cu‑Zr合金薄膜,然后在一定条件下对薄膜样品进行退火,Zr的加入与保护气氛共同抑制了Cu与Si之间的扩散反应,在膜基界面形成一薄层ZrSix阻挡层,实现了无需模板在单晶硅基体表面制备出ZrSix/Cu颗粒复合结构,进而在其表面溅射沉积纳米钴薄膜就获得了大比表面积、高性能纳米钴薄膜包覆铜颗粒复合结构材料。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图2
图3

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