发明专利 已授权

一种二氧化钒薄膜及其制备方法及应用

📄 申请号:CN202110891752.1 📄 发布日:2026/08/10

著录项目信息

申请日
2021-08-04
公开号
CN113564522B
公开日
2023-04-28
申请人
南京信息工程大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

所属领域

应用场景

智能窗户, 光开关, 红外探测, 光电探测器, 节能建筑

摘要

本发明涉及二氧化钒材料技术领域,尤其是一种二氧化钒薄膜及其制备方法及应用,现提出如下方案,其包括在基体上存在空位缺陷的表面侧制备覆盖在所述表面侧的二氧化钒薄膜。本发明通过在非晶石英基体上形成空位缺陷,利用磁控溅射技术在基体上具有空位缺陷的表面侧制备覆盖在其上的二氧化钒薄膜,进行二氧化钒的生长,这种方法制备的二氧化钒晶体结构会受到缺陷应力的挤压,导致键长、键角发生变化,并通过退火工艺优化二氧化钒薄膜的晶体结构,二氧化钒晶体结构的优化导致二氧化钒相变温度的降低,同时太阳光应用效率得到大幅提升,这种制备方法简单易操作,易于实现规模化制备。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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