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摘 要:本公开涉及制造半导体装置的方法。所述方法包括以下步骤:提供半导体衬底,其中在所述半导体衬底的前侧中具有第一开口,并且所述第一开口中填充有第一隔离件;在所述第一隔离件的两侧形成延伸到所述半导体衬底内的第一沟槽,所述第一沟槽与所述第一隔离件邻接并且在所述半导体衬底内延伸到比所述第一隔离件更深的位置;形成填充在所述第一沟槽中的第二隔离件;将所述半导体衬底的背侧减薄,以从所述半导体衬底的背侧暴露所述第二隔离件的一部分;从所述半导体衬底的背侧去除由所述第一隔离件和所述第二隔离件围绕的区域中的所述半导体衬底,以形成第二沟槽;去除所述第二沟槽的底部处的所述第一隔离件,由此形成硅通孔TSV结构。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811103618.5 | 专利名称: | 制造半导体装置的方法 |
申请日: | 2018-09-21 | 申请/专利权人 | 德淮半导体有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/768搜分类 半导体制造 半导体器件 半导体设备搜索 |
公开/公告日: | 2019-01-15 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN109216268A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |