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| 专利/申请号： | CN201910633202.2 | 专利名称： | 半导体结构和半导体结构的形成方法 |
| 申请日： | 2019-07-12 | 申请/专利权人 | 德淮半导体有限公司 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L21/768 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2019-11-08 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN110429059A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 51 | 所属领域： | 半导体制造 半导体电路 半导体集成电路专利转让搜索 |
摘 要：本申请公开了一种半导体结构的形成方法，该方法包括：在半导体衬底上形成第一栅极结构和第二栅极结构；在半导体衬底以及第一栅极结构和第二栅极结构的表面形成第一介电层；在第一介电层的表面形成第一层间介质层；在第一栅极结构和第二栅极结构之间形成第一开口，第一开口暴露所述第一介电层；在第一层间介质层的表面沉积第二层间介质层，其中，第二层间介质层填充第一开口的开口端的一部分；刻蚀第二层间介质层以形成第二开口，第二开口暴露第一开口；以及在第一开口和第二开口内填充金属材料以形成第一导线层。本申请还公开了一种半导体结构。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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