发明专利 已授权

一种二维混金属卤化物发光半导体及其制备方法和应用

📄 申请号:CN201910284274.0 📄 发布日:2026/04/17

著录项目信息

申请日
2019-04-10
公开号
CN109943329B
公开日
2021-09-28
申请人
济宁学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

发光二极管, 激光器, 光电探测器, 显示器件, 光通信

摘要

本发明属于材料制备技术领域,具体涉及一种二维混金属卤化物发光半导体,分子式为[(Me)2‑DABCO]Ag2PbBr6,属于单斜晶系,P21空间群,晶胞参数β=91.6700(10)°,Z=4,所述混金属卤化物在波长316nm的紫外线激发下,发射波长711nm的红光,Stock位移为395nm,半峰宽为239nm,发光强度在80‑200K内与温度呈线性关系,可作为低温区荧光温度传感材料。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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