发明专利已授权

一种Bi2O2Se晶体及其制备方法

📄 申请号：CN201910488709.3 📄 发布日：2025/08/25

著录项目信息

申请日

2019-06-06

公开号

CN110184654B

公开日

2020-11-03

申请人

江苏科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B29_46

IPC 分类号

C30B29_46 , C30B11_00 ,

技术画像

所属领域

半导体材料半导体材料晶体材料二维材料

应用场景

光电器件, 晶体管, 红外探测器, 热电转换

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摘要

本发明公开了一种Bi2O2Se晶体及其制备方法，所述Bi2O2Se晶体在300K时电导率为99～715S·cm‑1，2K时电导率为51288～300879S·cm‑1，在9T和2K条件下磁阻的范围2500％～3336％。所述制备方法包含以下步骤：a、按化学计量比将原料Bi2O3、Bi、Se或Bi2O3、Bi2Se3研磨混合均匀后装入石英管中，抽真空至10‑4Pa数量级时，真空密封；b、将密封好的石英管固定在提拉杆上，放置于布里奇曼炉的上炉，在500～600℃进行固相烧结反应；c、待反应结束后，升温至930～950℃，使生长原料熔化，通过控制原料的转速和下降的速度来完成晶体生长，解离得到Bi2O2Se晶体。本发明Bi2O2Se晶体的制备方法简单、成本低廉，晶体质量优良且晶体尺寸大等优点，适合规模化生产。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20201103

✅ 授权

20190924

?? 实质审查的生效：

20190830

📄 公开

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