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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN201810176116.9 | 专利名称: | 一种有机单晶微米带P-N异质结阵列的生长方法 |
申请日: | 2018-03-02 | 申请/专利权人 | 苏州大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号: | C30B29/54 分类检索 |
公开/公告日: | 2019-08-30 | 转让价格: | 【平台担保交易】 |
公开/公告号: | CN108342779B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
浏览量: | 3 | 所属领域: | 半导体材料 纳米技术 光电器件 晶体生长技术专利转让搜索 |
应用场景:高性能光电探测器制造;柔性电子皮肤传感器开发;微型化太阳能电池阵列优化;光通信元件集成
摘 要:本发明提供了一种有机单晶微米带P‑N异质结阵列的生长方法。该方法包括:提供一基底,并对基底进行光刻以获得负性的光刻胶阵列;利用疏水型的单分子层溶液对光刻胶阵列进行修饰,以获得光刻胶模板;将光刻胶模板按照竖向放置的方式浸入N型材料的溶液中,直至光刻胶模板完全浸入N型材料的溶液后取出光刻胶模板,以在光刻胶模板上形成N型单晶微米带;将光刻胶模板按竖向放置的方式浸入P型材料的溶液中,直至光刻胶模板完全浸入P型材料的溶液后取出光刻胶模板,以在光刻胶模板上形成P型单晶微米带,从而形成有机单晶微米带P‑N异质结阵列。制备的微米带P‑N异质结阵列均为单晶材料,且可以准确定位生长具有上下叠层结构的P‑N异质结。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2025/07/25 | 专利权的转移 | 登记生效日: 2025.07.08 专利权人由苏州英凡瑞得光电技术有限公司变更为深圳市凌晨知识产权运营有限公司 国家或地区由中国变更为中国 地址由215011 江苏省苏州市高新区竹园路209号1号楼A4021变更为518000 广东省深圳市龙华区大浪街道同胜社区华兴路13号智云产业园A栋2002 |
2020/12/08 | 专利权的转移 | 登记生效日: 2020.11.26 专利权人由苏州大学变更为苏州英凡瑞得光电技术有限公司 地址由215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号变更为215011 江苏省苏州市高新区竹园路209号1号楼A4021 |
2019/08/30 | 授权 | |
2018/08/24 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): C30B 29/54 专利申请号: 201810176116.9 申请日: 2018.03.02 |
2018/07/31 | 公开 |
申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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