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摘 要:本发明属于二维材料与器件领域,公开了一种低功耗纳米SnS2柔性阻变存储器及其制备方法,具体技术方案为:首先水热法合成SnS2花状微米球,将其通过液相剥离法制备SnS2纳米片,并将纳米片与聚甲基丙烯酸甲酯PMMA高分子材料复合制备SnS2/PMMA薄膜,将复合薄膜作为阻变介质层材料制备Ag/[SnS2/PMMA]/Cu柔性阻变存储器。其开关比和耐受性两项参数在二维材料阻变存储器中已达到较优水平,Set/Reset电压远低于现有技术制备出的RRAM,有利于其未来在可穿戴设备方面的应用。当器件从高阻转变为低阻时,此器件的功耗极低。SnS2层的厚度约为80 nm,本发明制备的导电细丝型阻变存储器的小型化具有很大潜力。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202110861108.X | 专利名称: | 一种低功耗纳米SnS2柔性阻变存储器及其制备方法 |
申请日: | 2021-07-29 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H10N70/20搜分类 Sn 低 港口 低功耗 纳米搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |