咨询电话：13280638997
传真：0533-3110363
邮箱：kefu@shizifang.com
24小时咨询热线13280638997
24小时咨询热线著 录 项 目：
| 专利/申请号： | CN202110861108.X | 专利名称： | 一种低功耗纳米SnS2柔性阻变存储器及其制备方法 |
| 申请日： | 2021-07-29 | 申请/专利权人 | |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H10N70/20分类检索 Sn 低 港口 低功耗 纳米 SnS专利转让搜索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要：本发明属于二维材料与器件领域，公开了一种低功耗纳米SnS2柔性阻变存储器及其制备方法，具体技术方案为：首先水热法合成SnS2花状微米球，将其通过液相剥离法制备SnS2纳米片，并将纳米片与聚甲基丙烯酸甲酯PMMA高分子材料复合制备SnS2/PMMA薄膜，将复合薄膜作为阻变介质层材料制备Ag/[SnS2/PMMA]/Cu柔性阻变存储器。其开关比和耐受性两项参数在二维材料阻变存储器中已达到较优水平，Set/Reset电压远低于现有技术制备出的RRAM,有利于其未来在可穿戴设备方面的应用。当器件从高阻转变为低阻时，此器件的功耗极低。SnS2层的厚度约为80 nm，本发明制备的导电细丝型阻变存储器的小型化具有很大潜力。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
| 2019101660302 | 【发明】一种基于氧化钽/二维黒砷磷/氧化钽的三层异质阻变存储器及其制备方法 | 2024/01/23 |
| 2021103335261 | 【发明】基于二维氧化钼/硫化钼叠层结构的自选通器件及其制造方法 | 2024/01/23 |
| 2017112969700 | 【发明】一种用于高温工况的类超晶格Zn-Sb/Ge-Sb纳米相变存储薄膜及其制备方法 | 2025/04/21 |
| 202110861108X | 【发明】一种低功耗纳米SnS2柔性阻变存储器及其制备方法 | 2023/10/17 |
| 2019107679800 | 【发明】一种柔性Ag/MoS2/Cu阻变式存储器的制备方法 | 2023/10/17 |
| 2021104115752 | 【发明】一种Ag/MoSe2-PMMA/Cu阻变存储器及其制备方法 | 2023/10/17 |
| 2023108611888 | 【发明】一种稳定性忆容器件及其制备方法 | 2025/04/17 |
| 2019109345679 | 【发明】一种氧化铈忆阻器薄膜的制备方法 | 2024/09/29 |
| 2020108707637 | 【发明】一种格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法 | 2025/06/06 |
| 2019106764083 | 【发明】一种基于全无机钙钛矿薄膜的柔性多态阻变存储器及其一步溶液法制备方法 | 2023/08/21 |
