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24小时咨询热线摘 要：一种用于高温工况的类超晶格Zn‑Sb/Ge‑Sb纳米相变存储薄膜，其特征在于，其结构通式为[ZnxSb100‑x(a)/GeySb100‑y(b)]n，其中x和y表示原子百分比，且10 著 录 项：
专利/申请号：
CN201711296970.0
专利名称：
一种用于高温工况的类超晶格Zn-Sb/Ge-Sb纳米相变存储薄膜及其制备方法
申请日：
2018-03-06
申请/专利权人
江苏理工学院
专利类型：
发明
地址：
江苏省常州市中吴大道1801号
专利状态：
已下证
查询审查信息
分类号：
H10N70/00搜分类
纳米材料搜索
公开/公告日：
2023-04-07
转让价格：
面议
公开/公告号：
CN110233203B
交易状态：
等待洽谈
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| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
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| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
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| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2023/04/07 | 授权 | |
| 2019/10/15 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 45/00 专利申请号: 201711296970.0 申请日: 2018.03.06 |
| 2019/09/13 | 公开 |
