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24小时咨询热线摘 要：本发明提供一种Y掺杂Sb基纳米相变存储薄膜材料及其制备方法和应用，所述纳米相变存储薄膜材料化学表达式为YxSb(1‑x)，其中0.01 著 录 项：
专利/申请号：
CN202110549019.1
专利名称：
一种Y掺杂Sb基纳米相变存储薄膜材料及其制备方法和应用
申请日：
2021-05-20
申请/专利权人
江苏理工学院
专利类型：
发明
地址：
江苏省常州市中吴大道1801号
专利状态：
已下证
查询审查信息
分类号：
H10N70/00搜分类
纳米材料搜索
公开/公告日：
2023-06-09
转让价格：
面议
公开/公告号：
CN113285021B
交易状态：
等待洽谈
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| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
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| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
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| 日期 | 法律信息 | 备注 |
