发明专利已授权

一种Y掺杂Sb基纳米相变存储薄膜材料及其制备方法和应用

📄 申请号：CN202110549019.1 📄 发布日：2026/06/30

著录项目信息

申请日

2021-05-20

公开号

CN113285021B

公开日

2023-06-09

申请人

江苏理工学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H10N70_00

IPC 分类号

H10N70_00 , C23C14_16 , C23C14_18 , C23C14_35 ,

技术画像

所属领域

相变存储材料相变存储材料纳米薄膜材料半导体存储技术

应用场景

数据存储, 相变存储器, 半导体存储器件, 消费电子, 高性能计算

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摘要

本发明提供一种Y掺杂Sb基纳米相变存储薄膜材料及其制备方法和应用，所述纳米相变存储薄膜材料化学表达式为YxSb(1‑x)，其中0.01

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种修正带

当前第 / 件

一种基于正离子注入的增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管

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