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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN201910934567.9 | 专利名称: | 一种氧化铈忆阻器薄膜的制备方法 |
申请日: | 2019-09-29 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 陕西省西安市碑林区金花南路5号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H10N70/20分类检索 半导体 微电子薄膜 电阻存储器 内存硬盘 膜的制备方法专利转让搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 【平台担保交易】 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本发明公开了一种氧化铈忆阻器薄膜的制备方法,具体按照以下步骤实施:步骤1,制备氧化铈溶胶;步骤2,采用浸渍‑提拉法,以氧化铈溶胶为原料在室温下使用提拉机在氧化铟(ITO)基板上进行氧化铈凝胶薄膜的提拉,氧化铈凝胶薄膜在室温下干燥后,于300℃‑700℃下进行热处理,冷却后得到氧化铈薄膜;步骤3,使用紫外线对步骤2得到的氧化铈薄膜进行辐照,得到氧化铈忆阻器薄膜。该氧化铈忆阻器薄膜的制备方法具有制备成本低、工艺简单、容易控制等优点。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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