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| 专利/申请号： | CN202010870763.7 | 专利名称： | 一种格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法 |
| 申请日： | 2020-08-26 | 申请/专利权人 | 西安理工大学 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 陕西省西安市碑林区金花南路5号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H10N70/20 分类检索 |
| 公开/公告日： | 转让价格： | 【平台担保交易】 | |
| 公开/公告号： | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 | |
| 浏览量： | 8 | 所属领域： | 半导体器件制造 电阻存储器技术 薄膜制备工艺专利转让搜索 |
应用场景：电阻存储器器件的产业化生产；高密度存储设备的制造；半导体薄膜材料的性能优化
摘 要：本发明公开了一种格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法，将具有纳米格点阵列结构的氧化铟掺锡层插入氧化锆薄膜与电极之间。该格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法，用以有效地提高氧空位浓度，进而有效地提高电阻存储器的阻变性能，解决阻变器件参数的波动性问题。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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