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摘 要:本发明涉及一种多级相变V2O5薄膜材料及其制备方法和应用。利用反应沉积法在磁控溅射的过程中发生钒与O2的反应并沉积于衬底,通过控制Ar气与O2气流量及溅射气压,生成V2O5,而不是钒的其他氧化物。所制得的V2O5薄膜在200~300nm厚度下的可逆相变过程中均出现非晶态、中间态和晶态三个不同相,呈现出3个不同电阻值,相较于传统的两态存储,本发明的多级相变V2O5薄膜材料具有更高的存储密度;且本发明的多级相变V2O5薄膜材料具有较快的相变速度,其10年数据保持温度达到200℃,远大于传统Ge2Sb2Te5材料的85℃,具有较好的热稳定性。本发明的多级相变V2O5薄膜材料具有较高的产业应用价值。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201910146169.0 | 专利名称: | 一种多级相变V2O5薄膜材料及其制备方法和应用 |
申请日: | 2019-02-27 | 申请/专利权人 | 江苏理工学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省常州市中吴大道1801号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H10N70/20搜分类 塑料搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
2023/06/23 | 授权 | |
2019/07/19 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 45/00 专利申请号: 201910146169.0 申请日: 2019.02.27 |
2019/06/25 | 公开 |