专利名称：一种SnS2/CNTs复合纳米材料的制备方法及其作为钠离子电池负极材料的应用      申请号：2016106280128     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米材料 SnS   相似专利 发布日：2025/06/13  
摘要： 本发明属于新型二次电池负极材料及其制备技术领域，特别涉及一种SnS2/CNTs复合纳米材料的制备方法及其作为钠离子电池负极材料的应用。首先将碳纳米管加入到超纯水中并进行超声处理；再加入SnCl4·5H2O溶液和硫脲；然后水热反应得到SnS2/CNTs复合纳米材料。复合材料被用作钠离子电池负极材料时，表现出了良好的导电能力和可逆容量，显示了SnS2/CNTs作为钠离子电池负极材料具有良好的应用前景。

专利名称：一种液相剥离法制备高浓度SnS2纳米片      申请号：2019104714785     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米材料 SnS   相似专利 发布日：2025/05/22  
摘要： 本发明公开一种液相剥离法制备高浓度SnS2纳米片，属于生物纳米材料的技术领域。具体包括以下步骤：步骤S1：将一定量的二硫化锡多晶粉末或二硫化锡单晶块体加入到密闭的蓝盖超声瓶中，随后向蓝盖超声瓶中加入一定量的极性溶剂，形成溶液体系；步骤S2：对蓝盖超声瓶中的溶液体系进行惰性气体鼓泡处理；步骤S3：将蓝盖超声瓶放置到超声波清洗机中进行超声处理，超声处理时在超声波清洗机加入冰块造成低温环境，起到冰浴降温的效果，得到橘黄色SnS2纳米片分散液；步骤S4：橘黄色SnS2纳米片分散液进行分离。本发明利用溶剂与溶质之间的分散性选用超声剥离法制备高浓度SnS2纳米片，获得剥离率高、高稳定性、保持块体半导体性质的纳米片分散液。

专利名称：一种面向WSNs的环境自适应的能量感知方法      申请号：2016111931966     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：传感器 WSN SnS   相似专利 发布日：2025/02/19  
摘要： 本发明公开了一种面向WSNs的环境自适应的能量感知方法，首先通过能量收集模块调整最佳角度采集环境中的太阳能、风能、震动能并传送给能量控制模块，能量控制模块计算出不同环境能源的功率数据，将这些数据传输到主控模块进行处理，同时，主控模块通过网络读取气象局的风向和太阳方位角等天气数据，并把不同环境能源的功率数据和这些天气数据进行融合，得到控制信号，再将控制信号回传给能量控制模块，以选择当前最佳的环境能源给可充电电池进行充电并给无线传感器节点及主控模块供能。本发明中采用的能量采集及转换系统具有良好的自适应性，在各种天气状况下都能有效地为可充电电池充电。

专利名称：一种三维ZnO-SnS P-N异质结的制备和应用      申请号：2016108219425     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词： SnS   相似专利 发布日：2024/12/05  
摘要： 本发明涉及一种半导体复合材料光催化剂的制备方法，特别涉及一种三维多孔的ZnO‑SnS P‑N异质结复合半导体材料的制备方法，其是通过简单的两步溶液法制得。首先利用碳酸氢铵对氧化锌进行修饰，得到三维花状氧化锌，然后选择柠檬酸为配体，将宽带隙的N型ZnO与窄带隙的P型SnS有机结合，并通过十六烷基三甲基溴化铵对复合材料进行修饰，最终得到三维多孔状ZnO‑SnS复合半导体材料。是一种应用在光催化领域的新材料，其独特的三维多孔结构和P‑N异质结的形成，促进了其在可见光下对有机染料罗丹明B的高效降解，并具有很高的降解稳定性。

专利名称：一种基于CeO2@SnS2促进鲁米诺电致化学发光传感器的制备方法      申请号：201910787978X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：化学化工 SnS   相似专利 发布日：2025/04/14  
摘要： 本发明涉及一种基于CeO2@SnS2促进鲁米诺电致化学发光传感器的制备方法，属于新型纳米材料领域与生物传感技术领域；本发明基于电致化学发光ECL技术，首次以铁蛋白共价交联鲁米诺（Ft‑luminol）作为信号源，以CeO2@SnS2作为促进剂，利用CeO2@SnS2对鲁米诺优异的协同催化作用对检测信号进行有效放大，提出了一种制备简单、成本低、反应能耗低、绿色环保的生物传感器制备方法，并将其应用于降钙素原的实际样品检测，检出限低至1.6 fg/mL，线性范围宽至5 fg/mL‑100 ng/mL，灵敏度高、重现性好，具有较大的潜在应用价值。

专利名称：一种Cu-Te纳米晶/Cu2SnSe3热电复合材料及其制备方法      申请号：2017107960759     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米材料 SnS   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明属于热电材料技术领域，具体涉及一种Cu‑Te纳米晶/Cu2SnSe3热电复合材料及其制备方法，该复合材料中Cu‑Te纳米晶在复合材料中的体积比为0.2‑1.2%。本发明制备的Cu‑Te纳米晶/Cu2SnSe3型热电复合材料表现出较好的热电性能，大幅提升了Cu2SnSe3基体的ZT值；制备所需工艺操作简单、参数可控、适用于较大规模生产。

专利名称：一种适用于Cu2SnSe3基热电元件的合金电极及该热电元件的制备工艺      申请号：2016100582340     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米材料 SnS   相似专利 发布日：2025/04/14  
摘要： 本发明涉及一种适用于p型Cu2SnSe3基热电材料相匹配的合金电极及该Cu2SnSe3基热电元件的制备工艺，该合金电极为Ti‑Ni合金，不仅电导率和热导率高，本发明提供的Ti‑Ni合金与Cu2SnSe3基热电材料具有非常接近的热膨胀系数。Cu2SnSe3基热电元件的制备是利用快速热压烧结(RHPS)技术直接将Cu2SnSe3基热电材料于Ti‑Ni合金电极烧制而成，不需要中间过渡连接层。烧结完毕后的电极界面结合非常稳定，且Cu2SnSe3/电极界面无明显的电阻跃迁。该制备工艺简单，非常适用于Cu2SnSe3基热电发电器件的制备，可用于大批量生产制备。

专利名称：一种基于CdS@SnS2@MWCNTs无标记型胰岛素光电免疫传感器的制备方法及应用      申请号：2016104351472     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：医疗 SnS   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明涉及一种基于CdS@SnS2@MWCNTs无标记型胰岛素光电免疫传感器的制备方法及应用。具体是将具有高的光电转换效率的CdS@SnS2@MWCNTs修饰于导电玻璃表面为光活性基底材料，制备无标记型胰岛素光电免疫传感器，实现对胰岛素抗原的简单、高灵敏检测。属于新型功能材料与生物传感检测技术领域。

专利名称：一种WSNs覆盖增强方法及系统      申请号：2021106714467     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：无线传感器网络 无线网络 信号增强 WSN SnS   相似专利 发布日：2025/03/31  
摘要： 本发明涉及一种WSNs覆盖增强方法及系统，该方法包括：根据监测区域中传感器节点和网格点计算WSNs覆盖率；将所述WSNs覆盖率最大作为适应度函数；在所述适应度函数的约束下，采用改进的蚁狮优化算法对蚂蚁种群位置和蚁狮种群位置进行特定次数迭代更新；在迭代结束后，将所述改进的蚁狮优化算法中的精英蚁狮对应的传感器节点最佳部署策略输出。通过采用改进的蚁狮优化算法计算二维部署环境下传感器节点最佳部署策略，使监测区域中的传感器节点分布更加均匀，避免覆盖空洞和节点的大量冗余，降低了传感器节点布置成本和能耗，提高了WSNs网络覆盖率，实现了利用尽量少的传感器节点对指定监测区域的感知覆盖和通信覆盖的最大化部署。

专利名称：一种P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂及其制备方法      申请号：2021103441237     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：化工、助剂 电催化剂及其制备 纳米 SnS   相似专利 发布日：2024/07/29  
摘要： 本发明提供了一种P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂制备方法，包括以下步骤：(1)以四氯化锡、硫粉分别作为锡源、硫源，采用气相沉积法，在导电基底上沉积二硫化锡，获得SnS2纳米片；(2)将上述SnS2纳米片采用CVD法进行掺杂，以次亚磷酸钠为掺杂P源，将次亚磷酸钠放置在上游加热区中心的烧舟中，并将装有硫粉的烧舟紧贴着次亚磷酸钠的烧舟，将制备好的SnS2纳米片置于干净的烧舟上，并放置在下游加热区的中心；在氩气氛围中，加热升温，保温一段时间，冷却到室温后，得到P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化电极材料。本发明方法制得的P掺杂SnS2纳米片阵列光电催化剂电极材料具有较高的光电催化析氧活性和稳定性。

专利名称：一种C3N4/SnSe2/H-TiO2异质结光电探测器的制备方法      申请号：2021103449169     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：光电探测 TiO2 SnS   相似专利 发布日：2024/07/29  
摘要： 本发明提供了一种C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器的制备方法，包括以下步骤：(1)采用阳极氧化法制备TiO2纳米管；(2)使用双温区真空气氛管式炉生长SnSe2纳米片，得到SnSe2/H‑TiO2异质结；(3)制备含有g‑C3N4纳米片的胶体溶液，通过旋涂法将g‑C3N4纳米片复合到SnSe2/H‑TiO2异质结上，最后在氩气气氛中烧结制备出C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结。本发明方法制得的C3N4/SnSe2/H‑TiO2异质结光电探测器件具有较大的光响应值和探测率。

专利名称：MoS2-SnS2/PVIPS/PPy/GO纳米材料及其在电催化氮还原中的应用      申请号：2021110539583     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电化学催化 氮气制造 液氮制造 PP IP SnS   相似专利 发布日：2025/03/18  
摘要： 本发明涉及MoS2‑SnS2/PVIPS/PPy/GO纳米材料及其在电催化氮还原中的应用。包括将二硫化锡和二硫化钼负载于聚1‑乙烯基‑3‑丙烷磺酸基咪唑溴盐/聚吡咯/氧化石墨烯上，制备MoS2‑SnS2/PVIPS/PPy/GO。将MoS2‑SnS2/PVIPS/PPy/GO负载在碳布上制备MoS2‑SnS2/PVIPS/PPy/GO修饰电极。在中性条件下，以MoS2‑SnS2为活性中心，PVIPS/PPy/GO为基底的复合纳米材料可以抑制HER过程，提高NRR反应活性，因此提高了产氨速率，显示出较高的法拉第效率，具有良好的稳定性，为常温常压下NRR电催化剂的研究和设计提供了一种新的思路和方法。

专利名称：一种CaSnSiO5-K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法      申请号：2020100451730     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：陶瓷 C Sn 微 材料及其制备方法 SnS   相似专利 发布日：2024/06/17  
摘要： 本发明公开一种CaSnSiO5‑K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法，该复合陶瓷的化学通式可以写成(1‑x)CaSnSiO5‑xK2MoO4，其中x为质量百分含量(x＝20，30，35，40，50，60，70，80，90wt％)。CaSnSiO5‑K2MoO4基复合陶瓷微波材料的介电常数(εr)范围为6.764～9.785，品质因数Qf数值的范围为2791GHz～11395GHz，谐振频率温度系数τf的范围为‑54.2ppm/℃～+22ppm/℃。该复合材料在微波射频系统(例如5G/6G通讯系统)中可以作为基片、谐振天线等器件材料使用。

专利名称：一种SnS2量子点/Sn3O4纳米片复合催化剂的制备方法和应用      申请号：2022105526107     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：化工、助剂 SnS   相似专利 发布日：2025/04/07  
摘要： 本发明公开了一种SnS2量子点/Sn3O4纳米片复合催化剂的制备方法和应用。首先通过液相剥离法将Sn3O4纳米花剥离成Sn3O4纳米片的分散液，然后配制SnS2前驱液，接着将Sn3O4纳米片的分散液滴加至SnS2前驱液中，通过原位水热生长法获得SnS2量子点/Sn3O4纳米片复合结构材料，并将其用作在可见光下去除水体中的有害MO染料和有毒有害的重金属Cr(VI)离子的光催化剂。本发明将SnS2量子点生长在Sn3O4纳米片上，可以实现SnS2量子点在Sn3O4纳米片表面均匀负载，形成紧密的接触界面提升光生电荷的分离，减少SnS2量子点的团聚，增加复合结构的比表面积和活性位点；同时还能利用两者间的协同效应，提升光吸收性能，从而大大提升SnS2量子点/Sn3O4纳米片复合结构材料的光催化活性，具有很大的工业化应用前景。

专利名称：一种富S缺陷ZnIn2S4/SnSe2欧姆结光催化剂（特价）      申请号：2022103979314     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：化工、助剂 In SnS   相似专利 发布日：2025/05/08  
摘要： 本发明公开了一种富S缺陷ZnIn2S4/SnSe2欧姆结光催化剂，属于光催化技术领域。本发明是以自制的富S缺陷ZnIn2S4、SnCl4·5H2O及Se粉为原料，通过一步水热法制备出的富S缺陷ZnIn2S4/SnSe2欧姆结光催化剂。由于ZnIn2S4和SnSe2匹配的能带及晶体结构，再加上富S缺陷ZnIn2S4表面丰富的配位不饱和S原子，SnSe2在富S缺陷ZnIn2S4表面通过形成界面Sn‑S键紧密结合，从而形成欧姆接触，促进了ZnIn2S4上的光生电子向SnSe2上的转移，该光催化剂可用于分解水制氢，其在可见光照射下的分解水制氢速率达25～29mmol·g‑1·h‑1以上，且在连续6次重复使用后，产氢速率仅下降4％左右。

专利名称：一种SiO2/SnSe/C纳米球及其制备方法      申请号：2022105722600     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电池 电极材料 纳米 SnS   相似专利 发布日：2024/09/02  
摘要： 本发明公开了一种SiO2/SnSe/C纳米球及其制备方法，将SiO2纳米球加入到乙二醇溶液中，加入SnCl2·2H2O溶解得到溶液A；将硒粉加入到三乙醇胺溶剂中，搅拌溶解得到溶液B；再将溶液B逐滴加入到溶液A中磁力搅拌混合得到溶液C，将混合溶液C装入聚四氟乙烯高压反应釜中反应结束后冷却至室温，将得到的黑色混合溶液D，将黑色粉体D与葡萄糖溶液装入水热釜中反应得到黑色固体粉末；将黑色固体粉末煅烧最终得到SiO2/SnSe/C纳米球；本发明的制备方法反应条件温和，易于实现，过程易控，在SnSe上包碳，碳材料作为支撑材料，可以更好的使SnSe在电极材料中保持稳定，增加SnSe的导电性能。

专利名称：一种SnS2-xOx/CC纳米片阵列的制备方法及应用      申请号：2021108926516     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：C Sn CC 阵列 纳米 SnS   相似专利 发布日：2024/03/11  
摘要： 本发明公开了一种SnS2‑xOx/CC纳米片阵列的制备方法及应用，包括：将SnCl4·5H2O和硫代乙酰胺加入水中，搅拌混合均匀，得到混合液；将混合液和碳纸转移到聚四氟乙烯内衬的不锈钢高压釜中，在水热反应，反应完毕后，自然冷却至室温，收集产物，分别用纯水和乙醇洗三次，真空干燥，得到SnS2/CC；将SnS2/CC加入马弗炉中，煅烧，得到SnS2‑xOx/CC纳米片阵列。本发明制备了具有表面氧改性的SnS2纳米片阵列，用于将CO2电还原为甲酸盐和合成气(CO和H2)；表面注氧工程实现了Sn活性位点的暴露和最佳的Sn电子态，从而增强了CO2的吸附和活化。SnS2纳米片上的表面注氧显着提高了CO2还原为甲酸盐和合成气(CO和H2)的电催化活性。

专利名称：一种牡丹花状C@SnS2锂电池负极材料的制备方法      申请号：2019100547374     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：花卉栽培 C Sn 电池负极 SnS   相似专利 发布日：2024/01/09  
摘要： 本发明揭示了一种牡丹花状C@SnS2锂电池负极材料的制备方法，包括以下步骤：步骤六，将得到的固体粉末放入管式炉中高温煅烧2-4小时，得到均匀分散的C纳米微球；步骤七，取一定量的碳纳米微球分散到乙醇溶液中大功率超声处理30-60min；以及步骤八至步骤十。采用本发明所揭示的方法，能够制备形貌结构可控的C@SnS2纳米复合材料，作为锂电池负极材料提升锂电池的电化学性能。

专利名称：一种柔性碳纤维布@Cu2O@SnS2复合材料、制备方法和应用      申请号：2020103604884     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：碳纤维 C Sn SnS   相似专利 发布日：2024/01/09  
摘要： 本发明涉及一种柔性碳纤维布@Cu2O@SnS2复合材料、制备方法和应用，制备方法包括：a.将碳纤维布依次置于丙酮、乙醇、去离子水中分别浸泡超声一定时间，真空烘干备用；b.将醋酸铜溶于去离子水中，搅拌，形成醋酸铜溶液；c.将所述醋酸铜溶液中加入乙酸溶液，搅，形成浅蓝色A溶液；d.将所述A溶液和碳纤维布加入到四氟乙烯反应釜中，恒定温度反应，用去离子水和乙醇冲洗涤，真空干燥，即得到碳纤维布@Cu2O；e.将一定量的四氯化锡和硫代乙酰胺溶于乙醇和醋酸溶液中，搅拌一定时间，形成溶液B，并将溶液B和碳纤维布@Cu2O装入反应釜中，恒温反应，乙醇与去离子水分别洗涤，干燥，得到碳纤维布@Cu2O@SnS2片状结构。产品均匀、易回收，具有优良的可见光光催化性能。

专利名称：一种MoInSnS四元对电极、其制备方法及应用      申请号：2020105248032     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电子元器件 Sn 四 港口 电子设备和元器件 In SnS   相似专利 发布日：2023/12/13  
摘要： 本发明公开一种MoInSnS四元对电极、其制备方法及应用，属于太阳能电池技术领域。MoInSnS四元对电极的制备过程如下：将四水合钼酸铵、二水合氯化亚锡、四水合三氯化铟、硫代乙酰胺加到超纯水中，超声至完全溶解，之后将上述溶液转移到装有洁净导电玻璃的反应釜中，180℃~220℃恒温反应10h~20h，待反应结束后自然冷却，开釜取出合成有MoInSnS薄膜的导电玻璃，洗涤，干燥，即得纳米薄膜MoInSnS对电极样品；其中，钼、铟、锡、硫合成摩尔数比为1:1:1:（6~6.5）。制备方法简单，制备过程环境友好，在开发非Pt对电极材料领域，具有良好的应用前景。