一种ZnSb/SiO2复合相变薄膜及其制备方法和应用

著 录 项 目：

摘     要：本发明公开了一种ZnSb/SiO2复合相变薄膜及其制备方法和应用，该材料通过磁控溅射交替沉积ZnSb和SiO2层，在纳米量级复合而成，其结构符合下列通式：[ZnSb(a)/SiO2(b)]x，本发明的ZnSb/SiO2复合相变薄膜材料利用复合结构的特殊性，减少热量散失，降低薄膜的整体热导率，提高加热效率、降低功耗；利用复合结构中多层界面的夹持效应，可以减小晶粒尺寸，从而缩短结晶时间，抑制晶化，在提高热稳定性的同时加快相变速度，最终使相变存储器具有更快的操作速度以及更低的操作功耗，再次，柔性PET衬底的使用可以改变相变材料的柔性度，获得具有市场前景的柔性相变薄膜。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

  备注

• 申请号	专利名称	发布日期
  2020103405791	【发明】利用电脉冲调控的低温可变电阻器	2025/07/11
  2017112969700	【发明】一种用于高温工况的类超晶格Zn-Sb/Ge-Sb纳米相变存储薄膜及其制备方法	2025/08/26
  202110861108X	【发明】一种低功耗纳米SnS2柔性阻变存储器及其制备方法	2023/10/17
  2023108611888	【发明】一种稳定性忆容器件及其制备方法	2025/08/20
  2019109345679	【发明】一种氧化铈忆阻器薄膜的制备方法	2024/09/29
  2020108707637	【发明】一种格点阵列复合电极电阻存储器薄膜制备方法	2025/06/06
  2019106764083	【发明】一种基于全无机钙钛矿薄膜的柔性多态阻变存储器及其一步溶液法制备方法	2023/08/21
  2019101461690	【发明】一种多级相变V2O5薄膜材料及其制备方法和应用	2025/08/26