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摘 要:本发明公开了一种ZnSb/SiO2复合相变薄膜及其制备方法和应用,该材料通过磁控溅射交替沉积ZnSb和SiO2层,在纳米量级复合而成,其结构符合下列通式:[ZnSb(a)/SiO2(b)]x,本发明的ZnSb/SiO2复合相变薄膜材料利用复合结构的特殊性,减少热量散失,降低薄膜的整体热导率,提高加热效率、降低功耗;利用复合结构中多层界面的夹持效应,可以减小晶粒尺寸,从而缩短结晶时间,抑制晶化,在提高热稳定性的同时加快相变速度,最终使相变存储器具有更快的操作速度以及更低的操作功耗,再次,柔性PET衬底的使用可以改变相变材料的柔性度,获得具有市场前景的柔性相变薄膜。
著 录 项:
专利/申请号: | CN201811600466.X | 专利名称: | 一种ZnSb/SiO2复合相变薄膜及其制备方法和应用 |
申请日: | 2018-12-26 | 申请/专利权人 | 江苏理工学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省常州市中吴大道1801号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H10N70/00搜分类 塑料搜索 |
公开/公告日: | 2023-04-07 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN109817806B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |