发明专利已授权

化学气相沉积法在FeS2表面生长MoS2的冷却系统

📄 申请号：CN201810090152.3 📄 发布日：2026/04/23

著录项目信息

申请日

2018-01-30

申请人

太原理工大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_46

IPC 分类号

C23C16_46 , C23C16_30 ,

技术画像

所属领域

冷却系统化学气相沉积二维半导体材料温度控制系统冷却系统

应用场景

半导体器件制造, 二维材料生长, 微电子制造工艺, 光电薄膜器件

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摘要

本发明公开了一种化学气相沉积(CVD)法在FeS2表面生长MoS2的冷却系统，以解决CVD法在FeS2基底上生长MoS2过程中对FeS2实时冷却的技术问题。该冷却系统包括冷却器、第Ⅰ外管、第Ⅱ外管、第Ⅲ外管、进水管、回水管、两个管接头、连接法兰、两个连接套筒、两个支腿和FeS2承载架。该冷却系统可以在热反应炉的石英管内对FeS2进行降温冷却，且具有冷却温度可调节、成本低、易于安装等优点。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20191101

✅ 授权

20180821

?? 实质审查的生效：

20180727

📄 公开

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