发明专利已授权

一种基于背栅晶体管的抗辐照技术及实现方法

📄 申请号：CN201410074966.X 📄 发布日：2025/10/22

著录项目信息

申请日

2014-03-03

公开号

CN103824856B

公开日

2017-01-11

申请人

上海新储集成电路有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L27_04

IPC 分类号

H01L27_04 , H01L23_552 , H01L21_66 ,

技术画像

所属领域

辐照技术半导体器件集成电路抗辐照加固技术辐照技术

应用场景

航天电子, 核工业电子设备, 高能物理实验, 辐射环境监测, 卫星通信

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摘要

一种基于背栅晶体管的抗辐照技术及实现方法，首先输入边界扫描测试信号，检测输出信号，检测到的输出信号与理想输出信号比较，如果二者近似程度满足要求，则停止测试，如果二者相差较大，通过内建自优化器改变芯片内各个块的背栅偏置，调节各个块内晶体管的阈值电压，通过调解后再检测输出信号，这样一直重复，直至测试输出信号与理想输出信号最大程度接近。通过边界扫描测试检测，内建自优化器调节背栅偏置可有效抑制晶体管的阈值电压偏移，从而改善晶体管的性能，达到抗辐照的功能，且本发明的抗辐照技术具有集成度高，速度快，抗辐照能力强等特点，并且成本低，工艺简单，易于实现。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20170111

✅ 授权

20140625

?? 实质审查的生效：

20140528

📄 公开

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