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| 专利/申请号： | CN201410127643.2 | 专利名称： | 一种基于半浮栅的双管增益存储器器件结构 |
| 申请日： | 2014-03-31 | 申请/专利权人 | 上海新储集成电路有限公司 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 上海市金山区亭卫公路6505号2幢8号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L27/108 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2016-08-17 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN103928465B | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 19 | 所属领域： | 存储专利转让搜索 |
摘 要：本发明涉及一种半导体器件结构，尤其涉及一种基于半浮栅的双管增益存储器器件结构，该存储器器件结构包括一SOI晶圆，且在所述SOI晶圆中的半导体层中还制备有多个存储器单元，每个存储器单元包括位于半导体层中的相互绝缘隔离的一个存储管和一个选通管，且所述存储管的栅极与所述选通管的源极电性连接，构成一双管增益单元结构；其中，所述存储器单元中设置有存储管区和选通管区，所述存储管包括一个半浮栅结构，从存储管区延伸到选通管区并籍由半浮栅结构电性接触选通管的源极。本发明中的存储器器件结构节省了存储器器件单元面积和金属互连所占的面积，并使得保持时间增加，漏电流减小，RC延迟减少，功耗明显降低。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 2016/08/17 | 授权 | |
| 2014/08/13 | 实质审查的生效 | IPC(主分类): H01L 27/108 专利申请号: 201410127643.2 申请日: 2014.03.31 |
| 2014/07/16 | 公开 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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