发明专利已授权

一种基于半浮栅的双管增益存储器器件结构

📄 申请号：CN201410127643.2 📄 发布日：2025/10/22

著录项目信息

申请日

2014-03-31

公开号

CN103928465B

公开日

2016-08-17

申请人

上海新储集成电路有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L27_108

IPC 分类号

H01L27_108 , G11C11_401 ,

技术画像

所属领域

半导体存储器半导体存储器浮栅结构集成电路器件

应用场景

存储器芯片, 嵌入式存储, 高速缓存存储, 低功耗存储, 高密度集成存储

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摘要

本发明涉及一种半导体器件结构，尤其涉及一种基于半浮栅的双管增益存储器器件结构，该存储器器件结构包括一SOI晶圆，且在所述SOI晶圆中的半导体层中还制备有多个存储器单元，每个存储器单元包括位于半导体层中的相互绝缘隔离的一个存储管和一个选通管，且所述存储管的栅极与所述选通管的源极电性连接，构成一双管增益单元结构；其中，所述存储器单元中设置有存储管区和选通管区，所述存储管包括一个半浮栅结构，从存储管区延伸到选通管区并籍由半浮栅结构电性接触选通管的源极。本发明中的存储器器件结构节省了存储器器件单元面积和金属互连所占的面积，并使得保持时间增加，漏电流减小，RC延迟减少，功耗明显降低。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20160817

✅ 授权

20140813

?? 实质审查的生效：

20140716

📄 公开

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