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摘 要:本发明涉及一种半导体晶圆的密封环结构及其制备方法,该方法包括以下步骤:在半导体基底的密封环区中形成平行排列的第一凹槽和第二凹槽,在所述第一凹槽中依次形成第一金属纳米颗粒层、第一电介质层、第二金属纳米颗粒层,在所述第二凹槽中沉积金属材料以形成第一金属层,通过平坦化工艺去除位于所述第一凹槽的外部的第二金属纳米颗粒层以及位于所述第二凹槽的外部的第一金属层,接着在所述第二金属纳米颗粒层上沉积第一金属/介质叠层,以形成第一密封环;并在所述第一金属层上沉积第二金属/介质叠层,以形成第二密封环。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010629707.4 | 专利名称: | 一种半导体晶圆的密封环结构及其制备方法 |
申请日: | 2020-07-03 | 申请/专利权人 | |
专利类型: | 发明 | 地址: | |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L23/00搜分类 密封材料搜索 |
公开/公告日: | 转让价格: | 面议 | |
公开/公告号: | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
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卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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日期 | 法律信息 | 备注 |