方筒形栅内嵌U形沟道场效应晶体管及其制造方法

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摘     要：本发明涉及高集成度方筒形栅内嵌U形沟道场效应晶体管及其制造方法。在U形单晶硅所形成的凹槽内部，仅需填充绝缘介质以实现两侧垂直沟道的彼此隔离，在凹槽内部无需引入用于生成栅电极的金属材料或者多晶硅材料，凹槽内部结构相对简单，可实现传统意义上物理栅电极长度仅有1纳米的，即源电极和漏电极之间的间距仅有1纳米的高集成金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明采用方筒形栅电极，在U形单晶硅所形成的凹槽内部不引入栅电极的前提下，保证了栅电极对U形单晶硅沟道的控制能力，即提高集成度的同时保证了栅电极对沟道的控制能力。因此适用于推广应用。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2021/05/11	专利权的转移	登记生效日: 2021.04.28 专利权人由蚌埠弘景科技有限公司变更为李倩楠 地址由233000 安徽省蚌埠市蚌山区光彩大市场8区32栋10号变更为102200 北京市昌平区立汤路175号新华未来城大厦A座4层423
  2020/08/07	授权
  2018/04/20	实质审查的生效	IPC(主分类): H01L 29/786 专利申请号: 201711050846.6 申请日: 2017.10.31
  2018/03/23	公开