专利名称：一种基于量子点有机场效应晶体管光敏存储器及其制备方法      申请号：2016108679039     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 场效应晶体管   相似专利 发布日：2024/10/16  
摘要： 本发明公开了一种基于量子点有机场效应晶体管光敏存储器，所述基于量子点有机场效应晶体管光敏存储器的结构从上到下依次为源漏电极、有机光敏半导体层、量子点薄膜层、栅绝缘层、栅电极和衬底；能够在不增加工艺复杂度并且在简单的设备制备的前提下，有效的提高器件对入射光的收集效率，增强光电转换效率，降低接触电阻和电荷隧穿势垒，从而降低对操作电压的依赖，减少能源损耗，为有机光敏存储器的商业化推广提供一种可行的思路，所述存储器结构同时改进光敏存储器的存储性能和光敏性能；所述存储器结构可采用金属铜作为器件源漏电极，降低了器件制备成本，便于推广、应用。

专利名称：一种石墨烯场效应晶体管量子点光电探测器及其制备方法      申请号：2017113160017     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：石墨烯 光电探测 场效应晶体管   相似专利 发布日：2024/06/04  
摘要： 本发明涉及光电探测领域，具体涉及一种石墨烯场效应晶体管量子点光电探测器及其制备方法；该光电探测器为多层薄膜结构，包括Si衬底层、第一绝缘层、第二绝缘层、石墨烯沟道层、量子点光敏介质层以及源极与漏极；衬底上依次热氧化生长第一绝缘层氧化硅，磁控溅射法生长第二绝缘层氮化铝作为双绝缘层，增强型化学气相沉积法生长石墨烯层于双绝缘层上，石墨烯层两端设有源极和漏极，源极和漏极之间涂覆一层量子点光敏介质层。本发明通过设计合理的器件结构，在光照情况下量子点和石墨烯之间可发生有效的电荷转移，从而将特定频率的光转换成光电流，最终实现对入射光的有效探测。

专利名称：一种判别背栅石墨烯场效应晶体管器件失效的方法      申请号：201410156595X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：石墨烯 器件 场效应晶体管   相似专利 发布日：2024/01/31  
摘要： 本发明公开一种判别背栅石墨烯场效应晶体管器件失效的方法，先在漏极电极和源极电极之间施加500mV的电压，在n型Si衬底和源极电极之间施加-4V~4V的栅压，得到石墨烯场效应晶体管的转移特性曲线，该转移特性曲线表现为双极性，则石墨烯场效应晶体管没有失效；再将n型Si衬底和源极电极之间的栅压从0 V逐渐增加到10 V，测试通过栅极的电流，最后在漏极电极和源极电极之间施加500mV的电压，在n型Si衬底和源极电极之间施加扫描电压-4V~4V，得到晶体管的转移特性曲线，表现为单向导电性，则石墨烯场效应晶体管失效；通过测试晶体管的转移特性曲线即可判别出该器件是否已经发生击穿，操作简便。

专利名称：一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度场效应晶体管      申请号：2020108882481     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米 场效应晶体管   相似专利 发布日：2023/12/13  
摘要： 本发明公开了一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度场效应晶体管结构，属于纳米尺度电子器件技术领域。本发明的技术方案要点为：一种基于MnBi2Te4单层的纳米尺度场效应晶体管，其由MnBi2Te4材料的单层结构构成；该MnBi2Te4材料的单层结构一端进行P型掺杂，另一端进行N型掺杂，中间区为其本征结构，构成一个PIN结结构；再在PIN结结构两端分别施加漏极电极和源极电极，上下两侧一次施加二氧化硅电介质和栅极，构成场效应晶体管，在场效应晶体管两端分别施加正向偏压和反向偏压时，该场效应晶体管表现出整流特性，进一步通过栅极电压来调控其整流作用。本发明具有结构超薄、尺寸可调、性能优良等优点。

专利名称：自激励自旋单电子电磁场效应晶体管、制备方法及应用      申请号：2015102221643     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电子 磁场 场效应晶体管   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明公开了一种自激励自旋单电子电磁场效应晶体管、制备方法及应用，该电磁场效应晶体管包括基板、源电极、漏电极、栅电极和纳米线有源区，源电极、漏电极和栅电极设置于基板上，纳米线有源区为源电极和漏电极之间的电流通道，纳米线有源区为掺杂有磁性金属的多型碳化硅纳米线。本发明室温可实现单电子库伦阻塞效应和单电子隧穿效应；同时，在实现单电子库伦阻塞和单电子隧穿效应时，单电子振荡产生变化电场，变化电场产生变化磁场，在施加源漏电压补充能量情况下，可呈现多结构的电磁振荡，产生皮安级的单电子自旋电流。本发明可作为量子信息的产生、转换、传输和存储的元件。

专利名称：基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位      申请号：2018100620854     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：电子 磁场 场效应晶体管   相似专利 发布日：2023/10/17  
摘要： 本发明涉及一种基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位，是量子计算处理器的基本单元。所述基于自激励自旋单电子电磁场效应晶体管的相位和费米轻子量子位，其特征在于，它的第一个主自由度分配给写入操作，第二个主自由度分配给读出操作，其中第一和第二主自由度之一是一个自旋电子电荷，而另外一个是一个相位。本发明的晶体管的量子位有相位和电荷两个自由度，在室温下，可以测量量子信号，这给量子计算机的制造和运行提供了重大机遇。本发明量子位是基于自旋单电子电磁场效应晶体管，可以大规模集成制造，有望应用于新一代量子计算机或者传感设备。避免了超导量子位的低温不稳定缺陷。

专利名称：一种基于PFBT蒸发法的有机场效应晶体管制备方法      申请号：2021106857460     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：P F 场效应晶体管   相似专利 发布日：2023/09/20  
摘要： 本发明公开了一种基于PFBT蒸发法的有机场效应晶体管制备方法，在制备电极时先蒸镀铬再蒸镀铜主要是为了通过铬来增加电极的粘附性，在去胶时对电极无损伤；在将用来修饰铜电极的材料PFBT与无水乙醇以1:10的比例混合，通过材料的挥发性，在真空中挥发到制备器件的电极上，因为挥发修饰，硫醇能在金属表面形成自组装的单分子薄膜，从而在电极表面形成自组装单层，通过形成的自组装单层进而降低了并五苯表面粗糙度以及电极和并五苯之间的注入势垒，提高了并五苯迁移率。

专利名称：一种基于苯并呋喃酮的芳杂环型共轭聚合物及其制备方法和应用、有机场效应晶体管      申请号：2021100239582     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：杂环 场效应晶体管   相似专利 发布日：2023/09/04  
摘要： 本发明属于有机半导体材料技术领域，特别涉及一种基于苯并呋喃酮的芳杂环型共轭聚合物及其制备方法和应用、有机场效应晶体管。本发明提供的基于苯并呋喃酮的芳杂环型共轭聚合物中含有3,6‑双(4‑溴)苯并[2,1‑b:3,4‑b’]二呋喃‑2,7‑二酮活性基团，能与(4,4,9,9‑四辛基‑4,9‑二氢‑s‑二癸烯[1,2‑b:5,6‑b’]二噻吩‑2,7‑二取代)双(四甲基锡)构造出平面性良好的聚合物，有利于提供较高的空穴迁移率，从而提高基于苯并呋喃酮的芳杂环型共轭聚合物在形成半导体薄膜时的分子间自组装和有序排列性能，有利于得到更好的分子晶体，提高电荷传输性能。

专利名称：一种氨基苯并二呋喃二酮基低聚物及其制备方法和应用、有机场效应晶体管      申请号：2020104059673     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：氨基 低 港口 场效应晶体管   相似专利 发布日：2023/09/04  
摘要： 本发明属于半导体材料技术领域，特别涉及一种氨基苯并二呋喃二酮基低聚物及其制备方法和应用、有机场效应晶体管。本发明提供的氨基苯并二呋喃二酮基低聚物中含有氨基苯并二呋喃二酮基，有利于为氨基苯并二呋喃二酮基低聚物提供较高的空穴迁移率，氨基苯并二呋喃二酮基的发色团末端存在的氨基结构单元，可以使氨基苯并二呋喃二酮基低聚物在固体状态下形成分子间氢键相互作用，从而提高其在形成半导体薄膜时的分子间自组装和有序排列性能，并且有利于提高其电荷传输性能；此外，氨基基团是一种富电子基团，有利于构建给体‑受体结构系统，提高分子间的载流子传输能力。

专利名称：一种二硫化钼场效应晶体管及其制备方法和应用      申请号：2020107483732     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：二硫化钼 场效应晶体管   相似专利 发布日：2023/08/21  
摘要： 本发明涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种二硫化钼场效应晶体管及其制备方法和应用，该二硫化钼场效应晶体管包括依次设置的衬底层、第一金属层、第一栅介质层与二硫化钼半导体薄膜层，二硫化钼半导体薄膜层两侧分别设有源接触电极与漏接触电极，第二、第三栅介质层以及第二金属层，第二金属层穿过第一栅介质层、第二和第三栅介质层与第一金属层接触。本发明实施例通过设置第一金属层与第二金属层分别作为底栅和顶栅来同时控制二硫化钼沟道，增强对沟道的静电控制能力，有助于进一步缩小尺寸，同时提升器件低功耗性能和高频性能表现，解决了现有二硫化钼场效应晶体管结构在低功耗性能和高频性能方面存在不足的问题。

专利名称：有机晶态薄膜的制备方法及有机场效应晶体管      申请号：2020104088801     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：塑料 膜的制备方法 场效应晶体管   相似专利 发布日：2023/03/30  
摘要： 本发明提供了一种有机晶态薄膜的制备方法及有机场效应晶体管，该制备方法包括以下步骤：提供一氧化硅片作为基底，在基底上设置绝缘层；通过光刻技术在绝缘层表面形成正胶沟道阵列；正胶沟道阵列的端部为周期性变化的漏斗状，以用于对晶体取向进行过滤，使具有相同取向的晶体沿漏斗状两侧外延生长并进入正胶沟道阵列；对正胶沟道阵列进行亲疏水处理，以在基底上得到具有不同亲疏水性的亲疏水模板；利用刮涂法在亲疏水模板上铺展有机单晶小分子溶液，以得到晶体取向一致的有机晶态薄膜。本发明的有机晶态薄膜的制备方法，可以实现大面积范围内的高取向性的有机单晶的定向定位生长。同时该制备方法操作简单，易于控制，有利于大面积推广使用。

专利名称：图案化有机晶体阵列的制备方法及有机场效应晶体管      申请号：2020104089310     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：阵列 场效应晶体管   相似专利 发布日：2023/03/30  
摘要： 本发明提供了一种图案化有机晶体阵列的制备方法及有机场效应晶体管，该制备方法包括以下步骤：提供一氧化硅片作为基底，在基底上设置绝缘层，并在绝缘层上旋涂光刻胶，以通过光刻技术在基底上得到图案化阵列位点；配置液晶小分子溶液以作为墨水，将墨水打印至图案化阵列位点上，以得到具有液晶小分子的图案化基底；对图案化基底进行热处理，以使图案化阵列位点上的液晶小分子融化和铺展，且在液晶小分子融化后进行降温处理，以使融化后的液晶小分子重结晶，得到图案化有机晶体阵列。本发明的制备方法，利用喷墨打印技术并结合液晶小分子重熔再结晶的特性得到图案化有机晶体阵列，有效防止有机晶体阵列在图案化过程中产生咖啡环效应。

专利名称：一种少层有机晶态膜的制备方法及有机场效应晶体管      申请号：2019105328956     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：膜的制备方法 场效应晶体管   相似专利 发布日：2023/03/30  
摘要： 本发明提供了一种少层有机晶态膜的制备方法及有机场效应晶体管。该制备方法包括如下步骤：提供有机小分子半导体材料，并选取有机小分子半导体材料的良溶剂和不良溶剂，良溶剂和不良溶剂具有不同蒸发速率、不同密度且互溶；将良溶剂和不良溶剂按照指定比例范围的体积比进行混合，形成良溶剂和不良溶剂的混合体系，指定比例范围为9:1到12:1之间；将有机小分子半导体材料加入混合体系中并进行搅拌，以形成有机小分子半导体材料的浓度范围在0.5‑1.5mg/ml的混合溶液；量取预定量的混合溶液，并将其施加在亲水性固体基底的边缘处，从而自组装生成少层且均匀的有机晶态膜。本发明方法可以一步法直接快速获得具有高度均匀特性和长程面内有序的少层有机晶态膜结构。

专利名称：一种硒化铅纳米棒、制备方法及在场效应晶体管中的应用      申请号：2017109728234     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：纳米材料 纳米棒 场效应晶体管   相似专利 发布日：2023/03/30  
摘要： 本发明公开了一种硒化铅纳米棒、制备方法及在场效应晶体管中的应用。以氧化铅、反式‑2‑癸烯酸为原料制备铅前驱体，再经反应和后处理，得到一种硒化铅纳米棒，分子式为PbSe，表面配体为有机酸反式‑2‑癸烯酸，带隙为1.03电子伏特。将提供的硒化铅纳米棒应用于场效应晶体管，以无机配体四正丁基卤化铵交换硒化铅纳米棒表面的有机酸配体，其电学性能显示双极性，在真空下测得的电子迁移率是0.1 cm2/Vs；空穴迁移率为1.1×10‑4 cm2/Vs。在50～297 K变温中，电荷传输机制在200 K时由最邻近跃迁机制转变为可变区域内跃迁机制且电荷传输由高度无序状态主导，可广泛应用于太阳能电池和光电探测器等领域。

专利名称：以胶带为基底构建大面积、柔性、可穿戴的有机纳米线场效应晶体管阵列的方法      申请号：2015108103015     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：包装材料 纳米材料 胶 纳米线 底 阵列 场效应晶体管   相似专利 发布日：2023/03/30  
摘要： 本发明涉及一种以胶带为基底构建大面积、柔性、可穿戴的有机纳米线场效应晶体管阵列的方法，包括以下步骤：1）纳米线的生长：制备模板，然后在模板上自组装生长纳米线阵列；2）基底的制作：在牺牲基底表面镀一层牺牲层，然后在牺牲层上制作栅极和源、漏电极；3）纳米线的转移：将胶带铺在生长了纳米线阵列的模板上，纳米线阵列会粘附在透明胶带上，剥离胶带，纳米线阵列会附着在胶带上一同被转移贴附在步骤2）制作的基底上；4）器件的构筑：利用胶带与牺牲层之间的粘附力较牺牲基底与牺牲层之间的粘附力大的特性，将牺牲层与牺牲基底分离，并转移至牺牲层刻蚀液中刻蚀，得到以胶带为基底的晶体管阵列。

专利名称：一种增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管      申请号：2014103696946     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：L LED芯片 场效应晶体管   相似专利 发布日：2022/07/01  
摘要： 本发明公开了一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。这种新结构是在晶体管2DEG所在的高阻GaN层的源端到栅电极部分使用P型掺杂的GaN，于是在栅压为零时，由于P型GaN与2DEG界面处势垒的阻挡作用使得电子无法到达源电极实现器件导通，器件处于关断状态；当栅极加正电压时，栅极下的2DEG浓度提高，使其能带高度下降，随着电压进一步增大，2DEG能带高度进一步下降，2DEG与P型GaN的势垒厚度也不断减小，直到在漏源电压的作用下发生遂穿，实现器件导通。

专利名称：一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应晶体管      申请号：201710866946X     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 通信网络 网络传输 场效应晶体管   相似专利 发布日：2022/07/01  
摘要： 本发明提出了一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物宽带隙半导体场效应晶体管(VDMOS)，该器件主要是在器件栅电极下方的漂移区形成电荷补偿层并在侧壁填充高介电常数(High K)介质层。器件关断时电荷补偿层与High K介质层上具有均匀的电场，通过电场调制使得器件的漂移区内电场分布均匀。同时，电荷补偿层与High K介质层共同辅助耗尽漂移区，大幅度提高了器件漂移区的耗尽能力使得器件的漂移区掺杂浓度增加，降低了器件的导通电阻。器件开启时漂移区的侧壁上具有多数载流子积累层，使得器件的导通电阻进一步降低。

专利名称：一种槽栅增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管      申请号：2017100200552     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：L LED芯片 场效应晶体管   相似专利 发布日：2022/07/01  
摘要： 本发明公开了一种具有部分本征GaN帽层的新型槽栅增强型MIS结构AlGaN/GaN异质结场效应晶体管。这种新型晶体管结构是在晶体管栅极边缘引入本征GaN帽层，该本征GaN帽层会降低该区域导电沟道的二维电子气浓度，实现电场调制效应。通过产生新的电场峰，降低了栅边缘的高电场，使晶体管表面的电场分布更加均匀，与传统槽栅增强型MIS结构相比，新型结构的击穿电压和可靠性也就有了明显的提高与改善。

专利名称：一种槽栅增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管      申请号：2017100210963     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：L LED芯片 场效应晶体管   相似专利 发布日：2022/07/01  
摘要： 本发明公开了一种具有部分本征GaN帽层的槽栅增强型AlGaN/GaN异质结场效应晶体管。这种新型晶体管结构是在晶体管栅极边缘引入本征GaN帽层，该本征GaN帽层会降低该区域导电沟道的二维电子气浓度，实现电场调制效应。通过产生新的电场峰，降低了栅边缘的高电场，使晶体管表面的电场分布更加均匀，与传统槽栅增强型结构相比，新型结构的击穿电压和可靠性也就有了明显的提高与改善。

专利名称：一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物元素半导体场效应晶体管      申请号：2017108669578     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体 场效应晶体管   相似专利 发布日：2022/07/01  
摘要： 本发明提出了一种具有高K电荷补偿纵向双扩散金属氧化物元素半导体场效应晶体管(VDMOS)，该结构主要是在器件栅电极下方的漂移区形成电荷补偿层并在侧壁填充高介电常数(High K)介质层。器件关断时电荷补偿层与High K介质层上具有均匀的电场，通过电场调制使得器件的漂移区内电场分布均匀。同时，电荷补偿层与High K介质层共同辅助耗尽漂移区，大幅度提高了器件漂移区的耗尽能力使得器件的漂移区掺杂浓度增加，降低了器件的导通电阻。器件开启时漂移区的侧壁上具有多数载流子积累层，使得器件的导通电阻进一步降低。