发明专利 已授权

掺硼金刚石微电极及其制备方法和脑电应用

📄 申请号:CN202210715354.9 📄 发布日:2026/09/29

著录项目信息

申请日
2022-06-22
公开号
CN117305804B
公开日
2026-05-08
申请人
天津理工大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

脑电信号采集, 脑机接口, 神经电生理监测, 医疗器械, 脑科学研究

摘要

本发明公开了一种掺硼金刚石微电极及其制备方法和应用,制备方法包括以下步骤:将基片于金刚石微纳粉末悬浮液中超声,清洗,干燥,得到成核后基片,采用电子辅助热丝化学气相沉积方法在所述成核后基片上生长掺硼金刚石薄膜,采用电子辅助热丝化学气相沉积方法获得的掺硼金刚石微电极品质比较好,制备简单,工艺成熟。掺硼金刚石微电极不需要添加导电膏介质帮助信号采集。掺硼金刚石薄膜原本属于本征半导体,本身不导电,通过替位式掺杂引入硼改变了原子内部结构,使其具有良好的导电性能。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:4 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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