实用新型已授权

一种等离子体CVD晶圆用表面修磨装置

Name: 一种等离子体CVD晶圆用表面修磨装置
Brand: 广州市鸿浩光电半导体有限公司
SKU: 2022218817801
Availability: InStock

📄 申请号：CN202221881780.1 📄 发布日：2026/09/28

著录项目信息

申请日

2022-07-20

公开号

CN217833207U

公开日

2022-11-18

申请人

广州市鸿浩光电半导体有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

B24B37_10

IPC 分类号

B24B37_10 , B24B37_30 , B24B47_04 , B24B47_12 , B24B7_22 ,

技术画像

所属领域

半导体制造设备半导体制造设备等离子体CVD 晶圆表面修磨

应用场景

半导体制造, 集成电路制造, 晶圆加工, 薄膜沉积, 表面处理

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摘要

本实用新型公开了晶圆加工技术领域的一种等离子体CVD晶圆用表面修磨装置，包括箱体，所述箱体内腔的底部固定安装有配件盒，本实用新型第一电机带动主动轮旋转，并且通过主动轮和从动轮的配合来使链条进行转动，从而使链条带动滑轴进行移动，在滑轴移动的时候，能够带动活动板移动，进而通过活动板带动平台做左右往复运动，并且在第三电机的作用下带动拨杆进行旋转，拨杆带动拨板前后摆动，从而通过拨板的作用带动齿轮正反转，齿轮带动盒体以及安装在盒体的晶圆载具做前后往复运动，并且晶圆载具在第二电机的作用下进行旋转，能够使晶圆与打磨垫的各个位置进行接触，避免对打磨垫造成浪费。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN217833207U

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种沉积高温氧化物的低压化学沉积设备

当前第 / 件

一种去除CVD反应腔体内壁沉积膜的装置

同领域国内专利 · IPC: (B24B37_10)

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