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本发明属于电子电路技术领域，涉及一种具有快速开启功能的GaN驱动器。是基于横向绝缘栅多模式晶体管工作在强导通状态时，其钳位能力将阳极至阴极之间的电压钳位在低于GaN器件的栅极阈值电压和大电流这一特点，配合一个用于提供上拉电流的PMOS管、一个下拉NMOS管，实现GaN功率器件的快速开启和关闭。当扰动耦合到低侧时，基于横向绝缘栅多模式晶体管的大电流能力和阳极至阴极钳位能力，保证驱动电路不受到功率级的串扰；在面对电压尖峰问题时，基于横向绝缘栅多模式晶体管的钳位能力，通过在开启信号到来之前增加一个预充电阶段来控制电压尖峰，相较于传统开启信号到来之后才开始驱动的方案，具有更小的尖峰。

本发明属于电子技术领域，具体的说涉及基于阴极短路栅控晶闸管的隔离型双向直流固态断路器。本发明包括主回路、保护回路、监测单元和栅极控制单元。其中，主回路包括第一直流电源V1和第二直流电源V2、第一CS‑MCT和第二CS‑MCT、第一二极管(D1)和第二二极管、变压器第一次级线圈和第二次级线圈；保护回路包括第三CS‑MCT、第一电阻和第二电阻、电容、变压器原线圈；监测单元包括霍尔电流传感器和电压比较器。其特点是：采用具有低导通电阻、高di/dt能力的CS‑MCT作为半导体开关，引入变压器来隔离保护回路和主回路，同时结合监测单元和栅极控制单元来实现故障电流的迅速中断。与传统固态断路器相比，不仅可以中断双向电流，还具有功耗低、可靠性高、响应速度快的优势。

本发明属于电子技术领域，具体的说涉及一种基于阴极短路栅控晶闸管的直流固态断路器。本发明主要包括由第一直流电源(V1)和负载(ZL)和第一CS‑MCT(T1)构成的主回路、由第一二极管(D1)、第二CS‑MCT(T2)和第三CS‑MCT(T3)，第一电阻(R1)和第二电阻(R2)，换流电容(C)，电感(L)，第三电阻(R)构成的换流回路、由霍尔电流传感器和电压比较器构成的监测单元和栅极控制单元。其特点是：采用具有低导通电阻、高di/dt能力的CS‑MCT作为半导体开关，结合监测单元和栅极控制单元可以实现故障电流的迅速中断。与传统固态断路器相比，基于CS‑MCT的固态短路器具有功耗低，响应速度快的优势。

本发明请求保护一种采用镜像结构的栅压自举采样开关电路，通过采用“镜像”结构使得自举电容增大为传统电路的2倍，提高采样开关线性度；采用钟控虚拟MOS管吸收相关MOS管产生的沟道电荷的技术，抑制沟道电荷注入；采用钟控反相器输出端驱动NMOS管M10与NMOS管M12的结构，减小采样开关管M11栅极节点的寄生电容，抑制电路电荷共享，在采样开始阶段，NMOS管M10和NMOS管M12分别与PMOS管MOS管M5和PMOS管M13同时导通，加快采样开关的导通速度，在采样到保持转换瞬间，PMOS管M8与NMOS管M9组成电路以及PMOS管M16与NMOS管M17组成电路有一段时间同时保持导通，加快采样开关的关断速度。本电路有效地提高了栅压自举采样开关电路的线性度及开关速度，从而有效地改善了栅压采样开关电路整体性能。