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本发明涉及一种级联增强型GaN HEMT功率模块封装结构，包括封装外壳、金属引线框架和引脚，其封装外壳内还包括：第一级联增强型GaN HEMT器件、第二级联增强型GaN HEMT器件、第三级联增强型GaN HEMT器件、第四级联增强型GaN HEMT器件、全桥栅驱动电路；每一个级联增强型GaN HEMT器件包括：高压耗尽型晶体管、低压增强型晶体管、电压调整电路、基岛、第一导电基板、第二导电基板、第三导电基板。本发明所提供的模块通过将绑定线长度最小化实现寄身电感的优化；另外，还增加了电压调整电路，保证其模块内部的高压耗尽型GaN器件工作在安全区域状态。

本实用新型涉及一种基于氮化镓的快充电路模块，包括第一基板和通过带线固定连接的第二基板，所述第一基板和第二基板相对的一侧设置有核心组件，所述第一基板和第二基板相对的一侧设置有连接组件，所述连接组件包括固定安装在第一基板顶部的套杆，所述第二基板的底部固定安装有与套杆相适配的插杆。该基于氮化镓的快充电路模块，通过在第一基板和第二基板相对的一侧分别安装了套杆和插杆，在安装时，将插杆插入套杆顶部的插槽中，然后拖动活动环下移，使固定挂钩通过“L”槽，然后转动活动环使固定挂钩进入到缓冲槽，利用下位弹簧和上位弹簧的弹性使固定挂钩处于缓冲槽内部无法自动转出，从而有效的提升了第一基板和第二基板的连接性。

本发明属于半导体器件技术领域，具体的说涉及一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管。本发明公开了一种基于具有变铝组分势垒层(Al0～0.50GaN)异质结的逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管，具体结构是在GaN层上方生长一层薄的变铝组分Al0～0.50GaN层作为势垒层，AlGaN势垒层中Al摩尔分量从0％到50％渐变。薄的变铝组分AlGaN层能够减小所提出器件漏极端肖特基电极到二维电子气的距离，增加沟道二维电子气浓度，并消除AlGaN/GaN异质结处导带差，进而能够降低所提出器件的补偿电压和导通压降。同时漏极端部分的金属‑绝缘体‑半导体结构(MIS)能够有效降低器件反向漏电流，增加器件反向耐压。

本发明属于半导体功率集成技术领域，特别涉及一种用于负压隔离的全氮化镓集成负压生成电路。本发明包括直流分压电路，脉冲信号产生电路，第一、第二电容充放电电路。直流分压电路用于将直流电压源根据负压隔离需要生成宽电源输入兼容的电压；脉冲信号产生电路用于产生与高压氮化镓器件开关同步的负压电路开关控制信号；第一、第二电容充放电电路用于在控制信号的作用下生成稳定的负向电压。本发明的用于负向隔离的全氮化镓集成负压生成电路能实现负向电压与高压氮化镓功率器件高频开关时的同步跟随，且能根据不同隔离场景在不同的直流电源下灵活生成所需要的稳定负向电压，并完全兼容P‑GaN栅增强型氮化镓功率集成工艺平台。