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本公开涉及半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包括以下步骤：提供堆叠结构，包括：第一晶片，包括第一衬底、第一绝缘层、第一电连接件；第二晶片，包括第二衬底、第二绝缘层、第二电连接件，并且第一晶片接合到第二晶片；形成硅通孔TSV的第一部分，其与第一电连接件的至少一部分以及第二电连接件的至少一部分重叠，穿过第一衬底并暴露出第一绝缘层；形成绝缘膜，其至少覆盖TSV的第一部分的侧表面和底表面；形成保留在TSV的第一部分的侧表面上的第一导电阻挡膜；形成暴露第一电连接件的至少一部分以及第二电连接件的至少一部分的TSV的第二部分；形成填充TSV的第一部分和第二部分的导电插塞，以将第一电连接件和所述第二电连接件互连。