发明专利 已授权

一种降低互耦效应的多级子阵扩展嵌套阵设计方法

📄 申请号:CN202211556681.0 📄 发布日:2026/09/11

著录项目信息

申请日
2022-12-06
公开号
CN115859546B
公开日
2025-04-11
申请人
宁波大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

无线通信, 雷达探测, 5G/6G通信, MIMO系统, 电子对抗

摘要

本发明涉及一种降低互耦效应的多级子阵扩展嵌套阵设计方法,该方法为:确定增广多级扩展嵌套阵列的阵元之间的单位长度;确定增广多级扩展嵌套阵列的阵列参数;设定增广多级扩展嵌套阵列为#imgabs0#所述增广多级扩展嵌套阵列#imgabs1#由一个均匀稀疏阵列ULA(0)、X个间距为2d的均匀阵列ULA(x.1)以及X个间距为2d的均匀阵列ULA(x.2)组成;增广多级扩展嵌套阵列#imgabs2#采用差分阵列产生连续虚拟阵元,本发明通过拓展出许多个相同的密集均匀阵列,并设定好密集均匀阵列之间的间距,并对密集均匀阵列的部分阵元相较于ULA(0)进行对称迁移,使得在满足差分无孔的条件下,相较于原始的嵌套阵列获得更高的自由度,且极大的减小了阵元间互耦影响。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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