发明专利已授权

基于薄膜翻转工艺的GaN基面发射激光器及制备方法

📄 申请号：CN202111237411.9 📄 发布日：2026/08/26

著录项目信息

申请日

2021-10-22

公开号

CN114094440B

公开日

2024-03-26

申请人

南京邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01S5_11

IPC 分类号

H01S5_11 , H01S5_343 ,

技术画像

所属领域

半导体激光器半导体激光器光电子器件薄膜制备工艺

应用场景

光通信, 激光显示, 光存储, 激光雷达, 光互连

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摘要

本发明公开了一种基于薄膜翻转工艺的GaN基面发射激光器及制备方法，包括：p电极、P‑GaN层、InGaN有源层、N‑GaN层、N‑电极和光子晶体层。相比传统面发射型激光器在P‑GaN层集成光子晶体微纳结构，本发明采用了薄膜翻转工艺从而实现了N‑GaN表面制备光子晶体结构，解决了表面集成光子晶体型GaN面发射激光器的载流子注入问题，该新的器件结构利于实现电泵激光和优异的激光激射性能。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：3 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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