发明专利 已授权

一种碳化硅晶片抛光加工状态在线监测方法

📄 申请号:CN202211480337.8 📄 发布日:2026/08/04

著录项目信息

申请日
2022-11-24
公开号
CN115922553B
公开日
2026-01-02
申请人
浙江工业大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

半导体晶片制造, 晶圆抛光加工, 在线质量监测, 智能制造, 功率半导体器件制造

摘要

本发明公开一种碳化硅晶片抛光加工状态在线监测方法,包括以下步骤:采集碳化硅晶片研磨抛光完整工况的周期振动信号数据,构建碳化硅晶片研磨抛光材料去除特征数据集;建立加工试验工况库,并将振动信号测试值放入匹配的工况库中;对振动信号进行变分模态分解,获取IMF主分量能量谱;构建实际加工特征指数;建立粒子滤波状态估计模型;通过粒子点进行新特征指数构建,并以此迭代实现碳化硅晶片抛光加工状态在线监测。本发明通过对原始振动信号进行变分模态分解,可以有效去除噪声,获得主能量谱,使得后续分析更加准确,抗干扰能力增强。

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是的,该专利已下证,法律状态为“已下证”,公开号: CN115922553B

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:61 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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