发明专利已授权

避免磁场干扰的VECSEL激光器芯片封装结构及方法

📄 申请号：CN201911357057.6 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2019-12-25

公开号

CN111106525B

公开日

2024-07-12

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01S5_024

IPC 分类号

H01S5_024 , H01S5_026 , H05K9_00 ,

技术画像

所属领域

垂直外腔面发射激光器垂直外腔面发射激光器激光器封装电磁屏蔽

应用场景

光通信, 精密测量, 量子技术, 科学仪器, 激光加工

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摘要

本发明公开了一种避免磁场干扰的VECSEL激光器芯片封装结构及方法。本发明在下绝缘层上布置测温线圈、加热线圈、供电正电极引脚和负电极引脚；上绝缘层覆盖测温线圈和加热线圈，上绝缘层上布置有供电负电极。测温线圈为具有开口的圆环形，加热线圈为双涡旋曲线形，加热线圈位于测温线圈内。首先在基底上沉积下绝缘层，然后在下绝缘层上加工出测温线圈及引脚、加热线圈及引脚、供电正电极引脚，再在测温线圈和加热线圈上沉积上绝缘层，最后同时加工供电负电极及引脚。本发明利用交错的双涡旋曲线的加热线圈结构，可以减少加热线圈所占的面积，同时可以避免加热、测温电流产生磁场对器件引入的磁场干扰。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种基于元胞机的高熵制造低熵调度方法

当前第 / 件

一种基于神经算子和渐进重采样的光谱图像融合方法

同领域国内专利 · IPC: (H01S5_024)

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