发明专利已授权

一种氮化铝包覆碳化硅复合陶瓷晶须的制备方法及其产品

📄 申请号：CN202511320982.7 📄 发布日：2026/08/04

著录项目信息

申请日

2025-09-16

公开号

CN120830148B

公开日

2025-12-05

申请人

浙江工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B1_10

IPC 分类号

C30B1_10 , C30B29_36 , C30B29_62 , C04B35_81 , C04B35_581 , C04B35_628 ,

技术画像

所属领域

陶瓷晶须陶瓷晶须复合材料表面包覆

应用场景

陶瓷基复合材料增强, 高温结构材料, 航空航天耐热部件, 切削刀具, 电子封装散热材料

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摘要

本发明公开一种氮化铝包覆碳化硅复合陶瓷晶须的制备方法及其产品。采用氧化铝、氧化硅、碳黑、晶须生成剂冰晶石为原料，通过球磨，使浆料混合均匀，之后将混合后的浆料放入干燥箱中烘干，再经碳热还原反应制备得到含有氮化铝包覆碳化硅复合陶瓷晶须和碳的混合粉体，最后通过除去多余的碳来获得AlN包覆SiC晶须。本发明制备得到的复合陶瓷晶须，是合成SiC晶须的同时一步法包覆AlN于晶须表面，形成AlN包覆SiC复合陶瓷晶须，以SiC为芯，AlN为壳，最终产品的晶须长度为20～200μm，直径为0.8～2.5μm，长径比为40～150。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

环烯醚萜类化合物及其制备方法与应用

当前第 / 件

一种激光-射流电化学混合抛光的方法

同领域国内专利 · IPC: (C30B1_10)

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