发明专利 已授权

一种微纳复合结构光子集成芯片及其制备方法

📄 申请号:CN202110222859.7 📄 发布日:2026/07/27

著录项目信息

申请日
2021-03-01
公开号
CN112563302B
公开日
2021-05-11
申请人
南京邮电大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

应用场景

光通信, 数据中心, 光互联, 光计算, 传感与检测

摘要

本发明公开了一种微纳复合结构光子集成芯片及其制备方法,属于半导体光电子器件与集成技术领域,该芯片利用纳米制备技术得到纳米LED结构,然后利用光刻技术得到LED器件、波导和光电探测器,采用深硅刻蚀技术和氮化物背后刻蚀技术,得到超薄的硅衬底悬空微纳复合结构光子集成芯片。本发明的芯片将纳米结构LED器件、波导和光电探测器集成在同一芯片上,纳米LED器件发出的光,侧向耦合进波导,通过波导传输,在波导另一端被光电探测器检测到,纳米结构可以增强LED的调制带宽和增大LED的发光谱和探测器响应谱的重叠程度,实现高速光子集成芯片,应用于光通信和光传感领域。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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