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单畴钇钡铜氧超导块材的制备方法

Name: 单畴钇钡铜氧超导块材的制备方法
Brand: 北京临界领域科技有限公司
SKU: 2012100481040
Availability: InStock

📄 申请号：CN201210048104.0 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2012-02-28

公开号

CN102534787B

公开日

2015-08-19

申请人

北京临界领域科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B29_22

IPC 分类号

C30B29_22 , C30B11_00 ,

技术画像

所属领域

超导材料超导材料陶瓷材料材料制备工艺

应用场景

超导磁悬浮, 储能系统, 电力传输, 核磁共振成像, 粒子加速器

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摘要

一种单畴钇钡铜氧超导块材的制备方法，由配制Y2BaCuO5先驱粉、配制液相源粉、压制Y2BaCuO5先驱块和液相块、压制支撑块、制备坯体、熔渗生长单畴钇钡铜氧块材、渗氧处理步骤组成。本发明采用顶部籽晶熔渗生长法，通过添加金属氧化物(Bi2O3粉体和WO3粉体)掺杂成功地引入了第二相纳米粒子Y2Ba4CuBiOx/Y2Ba4CuMOx(M为Bi、W)来形成磁通钉扎中心，简化了粉体制备的工艺、缩短了实验周期、降低了实验成本、提高了超导块材的磁通钉扎能力。采用了Y2O3制备支撑块，在钇钡铜氧块材的慢冷生长过程中，稳定地支撑上面的两个坯块，阻止液相的流失。本发明可用于制备钇钡铜氧超导块材，也可用于制备Gd、Sm、Nd、Eu等其他系列的高温超导块材。

常见问题

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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