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发明专利
已授权
一种四阶局部有源忆阻器电路模型
📄 申请号:CN201810504736.0
📄 发布日:2026/07/23
著录项目信息
申请日
2018-05-24
公开号
CN108846165B
公开日
2022-10-25
申请人
杭州电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
G06F30_367
IPC 分类号
G06F30_367
,
G06F115_06
,
技术画像
所属领域
忆阻器电路模型
忆阻器
电路模型
非线性电路
忆阻器电路模型
应用场景
神经形态计算, 类脑芯片, 非易失性存储器, 混沌电路设计, 电子电路仿真
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摘要
本发明公开了一种四阶局部有源忆阻器电路模型。本发明的电路模型包括集成运算放大器U1、集成运算放大器U2和乘法器U3、U4、U5、U6,集成运算放大器U1和乘法器U6分别连接输入端,即局部有源忆阻器的电压和电流的测试端;集成运算放大器U1用于实现积分运算、求和运算和反相运算,将输出信号再返回到乘法器U3,最终求得控制忆导值的状态变量,集成运算放大器U2用于实现反向运算和加法运算,得到需要的忆导控制函数,乘法器U6实现将忆导控制函数和输入的电压量相乘,得到最终的忆阻器电流量。本发明用以模拟局部有源忆阻器的伏安特性,替代实际局部有源忆阻器进行实验和应用及研究。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
一种周铣加工表面形貌快速建模方法
当前第 / 件
一种具备多维度修剪功能的绿篱机
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