发明专利 已授权

一种基于相场和温度场控制硅基内部微结构的方法

📄 申请号:CN201810714586.6 📄 发布日:2026/07/23

著录项目信息

申请日
2018-07-03
公开号
CN109063262B
公开日
2022-12-02
申请人
深圳万知达技术转移中心有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

半导体器件制造, 集成电路, 微机电系统, 材料微观结构设计

摘要

本发明公开了一种基于相场和温度场控制硅基内部微结构的方法。本发明利用硅原子的热扩散运动,基于相场和温度场研究硅基内部微结构的建模方法,建立起了硅基内腔稳定成型的计算模型,并通过改变外加热场,研究硅基内腔的成型变化机理,为微谐振腔制造的数值模拟提供了一条新的思路。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

20240910
?? 专利权的转移 :
20221202
✅ 授权
20190115
?? 实质审查的生效 :
议价
不含过户费

📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:38 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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🏢 淄博智来知识产权服务有限公司
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