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发明专利
已授权
一种基于相场和温度场控制硅基内部微结构的方法
📄 申请号:CN201810714586.6
📄 发布日:2026/07/23
著录项目信息
申请日
2018-07-03
公开号
CN109063262B
公开日
2022-12-02
申请人
深圳万知达技术转移中心有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
G06F30_20
IPC 分类号
G06F30_20
,
G06F119_18
,
技术画像
所属领域
半导体工艺
半导体工艺
微结构调控
相场模拟
应用场景
半导体器件制造, 集成电路, 微机电系统, 材料微观结构设计
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摘要
本发明公开了一种基于相场和温度场控制硅基内部微结构的方法。本发明利用硅原子的热扩散运动,基于相场和温度场研究硅基内部微结构的建模方法,建立起了硅基内腔稳定成型的计算模型,并通过改变外加热场,研究硅基内腔的成型变化机理,为微谐振腔制造的数值模拟提供了一条新的思路。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
20240910
?? 专利权的转移 :
20221202
✅ 授权
20190115
?? 实质审查的生效 :
一种LNG冷藏车
当前第 / 件
基于电磁耦合的宽带、高隔离MIMO环天线
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📌 交易状态:
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未申报
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