发明专利已授权

一种垂直生长的二硫化铌纳米片及其制备方法和应用

📄 申请号：CN202010888449.1 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2020-08-28

申请人

陕西科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_30

IPC 分类号

C23C16_30 , B01J27_04 , C25B1_04 , C25B11_075 , C25B11_065 , C01G33_00 ,

技术画像

所属领域

纳米材料纳米材料二维材料过渡金属硫化物

应用场景

催化材料, 电子器件, 能源存储, 传感器, 润滑材料

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摘要

本发明公开了一种垂直生长的二硫化铌纳米片及其制备方法和应用，属于电化学催化产氢材料制备技术领域。本发明所述制备方法以五氯化铌和硫粉为前驱体，在惰性气氛下于850～950℃生长20～40min，其中通过控制硫粉和碳布衬底的距离为20～21cm，即可在碳布衬底成功制备结构可控的垂直生长的二硫化铌纳米片；同时碳布这一生长衬底廉价，化学气相沉积法的操作可控性好，易于引入实际工业生产当中，因此在该制备方法绿色化学工业中具有广阔的应用前景。本发明提供的垂直生长的二硫化铌纳米片与碳布衬底相耦合，这一耦合结构有助于有效的电荷传输和增加活性位点，经实验证实所制备的垂直生长的二硫化铌纳米片作为电化学产氢催化剂具有较好电催化活性和稳定性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种石墨烯/热解碳/碳化硅电磁屏蔽复合材料及其制备方法

当前第 / 件

一种介孔中空碳微米笼材料及其制备方法和应用

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