发明专利已授权

一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法

📄 申请号：CN202111226086.6 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-10-21

公开号

CN113957538A

公开日

2022-01-21

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B29_46

IPC 分类号

C30B29_46 , C30B25_00 ,

技术画像

所属领域

二维材料二维材料晶体材料制备过渡金属硫化物

应用场景

电子器件, 光电器件, 催化材料, 传感器, 半导体材料

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摘要

本发明公开了一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法，以Si/SiO2为衬底，钼箔为钼源，硫粉为硫源；双温区水平管式炉按照气流方向设定为硫源温区和沉积温区，硫源和钼源‑衬底置于同一石英管中，装有硫粉的石英舟位于硫源温区，装有钼源‑衬底的石英舟位于沉积温区，钼箔展开置于石英舟内，衬底倾斜倒扣在钼箔正上方；向石英管中通入惰性气体，使两温区同时升至目标温度值；硫蒸气被惰性气体输送至与钼箔反应，得到覆盖率不同覆盖率的双层MoS2晶体材料。本发明利用改进的化学气相沉积法，在衬底与金属源之间的倾斜且狭小限域空间构建材料源的梯度浓度分布，从而实现不同覆盖率的双层MoS2晶体材料的制备。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法

当前第 / 件

一种移动式车载烘干机

同领域国内专利 · IPC: (C30B29_46)

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