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本发明公开了一种钒铟硒单晶铁磁材料的制备方法。该制备方法包括以下步骤：称取按预定摩尔比配置的单质钒、铟、硒粉，并与指定量的化学气相传输剂充分混合，得到混合粉末。将混合粉末置于石英管的反应端。接着，通过真空系统多次清洁石英管，并将石英管的密封端熔化密封。将石英管放入管式炉中加热，使得反应端在第一预设温度下保温一段时间，同时密封端在第二预设温度下保温一段时间。加热完成后，自然冷却，得到钒铟硒单晶。这里，第一预设温度为800～850℃，且高于第二预设温度。本发明首次利用化学气相传输法成功制备钒铟硒单晶，具有步骤简便、反应周期短、成功率高等优点，能够获得数量多、完整性好、尺寸较大的单晶，适用于多种常规研究方法，填补了化学气相传输法在钒铟硒单晶制备领域的空白。

本发明公开一种碘化亚铁单晶铁磁的制备方法，所述制备方法包括步骤：称取具有预设摩尔比的单质铁粉，并与称取的化学气相传输剂进行充分混合得到混合粉末，将混合粉末置于石英管的反应端；采用真空系统对石英管进行多次清洗，并将石英管密封端熔化密封；将石英管置于管式炉中对石英管进行加热，使得石英管反应端在第一预设温度下保温第一预设时间，同时使得石英管密封端在第二预设温度下保温第一预设时间，自然冷却后得到碘化亚铁单晶，本发明首次采用化学气相传输法成功制备得到碘化亚铁单晶，步骤简单、生长周期短、成功率高，获得单晶数量多、完整性好、尺寸大，适用于多种常规的研究手段，弥补了化学气相传输法制备碘化亚铁单晶方面的空白。

本发明公开了一种利用双基片台MPCVD反应装置将人体头发作为碳源生长出单晶金刚石的方法，包含如下步骤：第一步，提供人体头发、单晶金刚石衬底以及双基片台MPCVD反应装置；第二步，将单晶金刚石衬底放在下基片台凹槽处，人体头发绑成头发束通过传送装置置于上基片台中心孔内；第三步，反应装置内通入氢气，产生微波等离子体，调节装置工艺参数，头发束以一定速度伸出上基片台中心孔并进入等离子体中被刻蚀，同时进行单晶金刚石生长；第四步，利用激光切除单晶衬底，得到由人体头发为碳源制备的单晶金刚石；该方法采用微波等离子体化学气相沉积方法合成单晶金刚石，将头发作为碳源，通过在双基片MPCVD反应装置腔体内刻蚀人体头发的同时生长出单晶金刚石。