发明专利已授权

一种一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法

Name: 一种一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法
Brand: 杭州电子科技大学
SKU: 202111226096X
Availability: InStock

📄 申请号：CN202111226096.X 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-10-21

公开号

CN113913940A

公开日

2022-01-11

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B29_46

IPC 分类号

C30B29_46 , C30B29_64 , C30B29_68 , C30B25_00 , B82Y40_00 , B82Y20_00 ,

技术画像

所属领域

二硫化钨纳米材料制备二维材料半导体材料二硫化钨

应用场景

纳米电子器件, 光电器件, 传感器, 催化材料

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摘要

本发明公开了一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法，以Si/SiO2为衬底，三氧化钨粉末为钨源，硫粉为硫源；双温区水平管式炉按照气流方向设定硫源温区和沉积温区，硫源和钨源‑衬底置于同一石英管中，装有硫粉的石英舟位于硫源温区，装有钨源‑衬底的石英舟位于沉积温区，三氧化钨粉末平铺在石英舟内，衬底倒扣并位于三氧化钨粉末正上方；先对石英管抽真空，再向石英管中通入惰性气体，对硫源温区和沉积温区升温，硫蒸气被惰性气体输送到沉积温区与三氧化钨反应，在衬底上得到一维双层二硫化钨水平纳米带。通过限域化学气相沉积法实现一维双层二硫化钨水平纳米带的制备，工艺简单，成本低，无催化剂且对环境友好。

常见问题

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种改进PO法消除光伏发电系统稳态振荡的控制方法

当前第 / 件

一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法

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