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本发明公开了一种花状二硫化钨纳米颗粒的制备方法，采用的是高温硫化合成法，步骤如下：将单质硫粉、硫脲和WO3按摩尔比10:10:1～20:20:1混合后充分研磨，将研磨后的粉末用压片机在25MPa～35Mpa的压力下压成直径为25～30mm，厚度为4～6mm的圆片；将所压制的圆片放入坩埚，并将坩埚推入管式炉中央位置；向管式炉中通入氩气，并以10～12℃/min的速度将管式炉迅速升温至 800～850℃，并恒温处理30～60 min；然后，自然冷却到室温，得到花状二硫化钨纳米颗粒。本发明方法工艺简单，成本低廉，制备得到的产品纯度高、产率高，有望用于大规模的工业生产。

本发明公开了一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法，以Si/SiO2为衬底，三氧化钨粉末为钨源，硫粉为硫源；双温区水平管式炉按照气流方向设定硫源温区和沉积温区，硫源和钨源‑衬底置于同一石英管中，装有硫粉的石英舟位于硫源温区，装有钨源‑衬底的石英舟位于沉积温区，三氧化钨粉末平铺在石英舟内，衬底倒扣并位于三氧化钨粉末正上方；先对石英管抽真空，再向石英管中通入惰性气体，对硫源温区和沉积温区升温，硫蒸气被惰性气体输送到沉积温区与三氧化钨反应，在衬底上得到一维双层二硫化钨水平纳米带。通过限域化学气相沉积法实现一维双层二硫化钨水平纳米带的制备，工艺简单，成本低，无催化剂且对环境友好。

本发明属于无机材料技术领域，具体涉及一种超薄二硫化钨纳米片的制备方法，包括如下步骤：将钨酸铵溶于去离子水中，形成钨酸铵溶液；向钨酸铵溶液中加入硫脲，搅拌，再加入草酸，继续搅拌，得到混合溶液；向混合溶液中加入表面活性剂，搅拌至混合均匀，然后进行水热反应，经冷却、离心、洗涤和干燥，得到超薄二硫化钨纳米片。本发明方法制备的超薄二硫化钨纳米片形貌均一、分散性好，且工艺简单易控、原料来源广、成本低廉、产物产出率高。