发明专利已授权

一种用于纳米工艺的电流源注入模型的建立方法

📄 申请号：CN202211554037.X 📄 发布日：2026/07/06

著录项目信息

申请日

2022-12-06

公开号

CN115730539A

公开日

2023-03-03

申请人

电子科技大学长三角研究院(湖州)

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G06F30_30

IPC 分类号

G06F30_30 , G06F111_14 ,

技术画像

所属领域

半导体器件建模半导体器件建模集成电路设计电路仿真

应用场景

芯片设计, 电子设计自动化, 电路仿真验证, 纳米集成电路

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摘要

本发明公开了一种用于纳米工艺的电流源注入模型的建立方法，首先确定待评估的晶体管的具体参数，再基于所选纳米工艺在3D TCAD工具中对待评估的晶体管进行建模，通过3D TCAD仿真得到晶体管的等效饱和电压和阈值电压，通过3D TCAD仿真确定晶体管的等效有效收集长度和收集深度，确定待评估的离子类型，及其对应的线性传输能量，设定待评估的注入距离，最终得到相应的离子注入的电流源注入模型。本发明的电流源模型的建立方法基于扩散理论和晶体管原理，结合纳米工艺特点，通过晶体管有效收集长度和晶体管的等效饱和电压等解决解决纳米工艺下器件电荷收集能力有限的问题，从而建立了一种新型的面向纳米工艺的电流源注入模型。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种存算一体智能计算架构中的Concat算子简化处理方法

当前第 / 件

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