发明专利已授权

一种MeV能区质子导致SRAM发生单粒子翻转的快速分析方法

📄 申请号：CN202610156677.7 📄 发布日：2026/08/10

著录项目信息

申请日

2026-02-04

公开号

CN121637944B

公开日

2026-04-28

申请人

南京信息工程大学,安徽建筑大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G06F30_25

IPC 分类号

G06F30_25

技术画像

所属领域

其他分类其他

应用场景

航天电子, 核环境电子系统, 高可靠半导体器件, 单粒子效应评估, 辐射环境模拟

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摘要

本发明公开了一种MeV能区质子导致SRAM发生单粒子翻转的快速分析方法，该方法包括依据SRAM的器件结构，建立靶材几何模型；构建材料参数数据库；采用连续能量损失模型与离散散射模型相结合的混合算法，基于材料参数数据库，迭代模拟质子在所述靶材几何模型中的输运过程并获取其在敏感体积中的总能量沉积；将每个质子在敏感体积中的总能量沉积与预设的能量沉积阈值进行比较，若超过阈值则判定发生一次单粒子翻转事件，并统计事件总数；基于事件总数、入射的质子总数、SRAM的总比特数以及靶材几何模型的表面积，获取单粒子翻转截面。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种绕行因子驱动的离子散射径迹簇的快速模拟方法

当前第 / 件

基于单跳机会式干扰与智能反射面协同的异构多模多跳隐蔽通信方法

同领域国内专利 · IPC: (G06F30_25)

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：21 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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