发明专利 已授权

一种轴向磁场永磁记忆电机不对称轴向电磁力波计算方法

📄 申请号:CN202310177654.0 📄 发布日:2026/08/10

著录项目信息

申请日
2023-02-28
公开号
CN116205067B
公开日
2026-04-14
申请人
南京信息工程大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

所属领域

应用场景

电动汽车驱动, 航空航天推进, 工业伺服驱动, 电驱系统NVH分析, 电机优化设计

摘要

本发明公开了一种轴向磁场永磁记忆电机不对称轴向电磁力波计算方法,其主要包括确定求解坐标系、针对气隙和Halbach阵列永磁体不同求解区域对电机分别建立泊松方程与拉普拉斯方程,在求得拉普拉斯通解基础上,依据空载磁场解析模型应满足的边界条件,对静态轴向气隙磁密与周向气隙磁密进行求解。在电机运行过程中,对Halbach阵列永磁体磁动势进行计算;电机通入三相对称正弦电流时,分别计算单相绕组所产生的磁动势与三相绕组所产生的磁动势;在考虑气隙磁导率的情况下,推导计算电机轴向气隙磁场分布公式。在忽略气隙磁场饱和的情况下,根据麦克斯韦张量方程,计算作用在轴向磁场永磁记忆电机单位面积上的轴向电磁力。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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