发明专利 已授权

一种垂直结构功率MOSFET大信号等效电路模型

📄 申请号:CN202311714983.0 📄 发布日:2026/09/09

著录项目信息

申请日
2023-12-13
公开号
CN117709266B
公开日
2024-10-15
申请人
燕山大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

所属领域

应用场景

电源管理, 功率变换器, 电动汽车, 新能源发电, 工业电机驱动

摘要

本发明涉及半导体集成电路技术领域,特别是涉及一种垂直结构功率MOSFET大信号等效电路模型,包括:栅源等效电路单元、栅漏等效电路单元、漏源等效电路单元、沟道区热电阻单元、寄生源区等效电阻Rs、寄生漏极等效电阻Rd、寄生栅极等效电阻Rg,其中,栅漏等效电路单元与沟道区热电阻单元串联,与栅源等效电路单元并联,形成第一支路;漏源等效电路单元并联到第一支路上,形成第二支路;寄生源区等效电阻Rs、寄生漏极等效电阻Rd分别串联到第二支路的两端,寄生栅极等效电阻Rg连接到沟道区热电阻单元上。本发明能精确反映功率MOSFET器件的物理本质,准确的模拟器件物理特性,具有参数少、提取参数简单的优点。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

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