实用新型已授权

一种等离子体辅助原子层沉积高阻隔膜装置

📄 申请号：CN202221366448.1 📄 发布日：2026/04/03

著录项目信息

申请日

2022-06-02

公开号

CN217351526U

公开日

2022-09-02

申请人

浙江弘康半导体技术股份有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

C23C16_455

IPC 分类号

C23C16_455

技术画像

所属领域

原子层沉积原子层沉积薄膜沉积设备等离子体辅助沉积

应用场景

半导体制造, 柔性电子封装, 高阻隔膜制备, 光伏器件, 显示器件

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摘要

本实用新型公开了一种等离子体辅助原子层沉积高阻隔膜装置，包括镀膜室、远程等离子体原子层沉积系统，所述镀膜室两侧分别设有收卷辊和放卷辊，所述镀膜室设有多个，且依次轴向相邻拼接密闭，所述镀膜室内设有导向辊，导向辊与收卷辊和放卷辊之间通过基材料带相连，每个镀膜室上方均设有远程等离子体原子层沉积系统，其等离子体发射端紧挨通过基材料带。本实用新型一种等离子体辅助原子层沉积高阻隔膜装置，通过针对镀膜室数量的灵活增设或减配，以此适配反应的循环次数来控制薄膜的厚度，其中装配后的每个镀膜室之间分别独立通气，每个腔体气压和气体组分可分别适当调整，有利于沉积出质量优良的薄膜。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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