发明专利已授权

一种氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜的制备方法

📄 申请号：CN201811132537.8 📄 发布日：2026/07/31

著录项目信息

申请日

2018-09-27

公开号

CN109280902B

公开日

2020-10-09

申请人

三峡大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_26

IPC 分类号

C23C16_26 , C23C16_505 , C23C16_02 ,

技术画像

所属领域

石墨烯量子点石墨烯量子点纳米材料薄膜制备

应用场景

光电器件, 生物成像, 荧光传感, 发光显示, 防伪标记

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摘要

本发明公开了一种氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜的制备方法。该方法以射频等离子体增强化学气相沉积技术作为石墨烯量子点固态膜生长方法，以高纯乙烯作为石墨烯量子点生长的碳源气体，以硅烷混合气和高纯氮气分别为石墨烯量子点的生长提供硅元素修饰和氮元素修饰。相对于目前常用的石墨烯量子点制备方法，如电化学法、水热法、酸氧化法、溶液化学法以及微波超声等方法，该方法的突出优点是石墨烯量子点不是以液态和胶体态的形式存在，而是以固态膜的形式存在且制备工艺同传统半导体工艺相兼容。本发明所提出的这种氮硅双修饰石墨烯量子点固态膜的制备方法能使石墨烯量子点在太阳能电池、光电探测器以及发光二极管等半导体器件中得到很好的应用。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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当前第 / 件

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