发明专利已授权

一种集成SBD的增强型HEMT

📄 申请号：CN201510483325.4 📄 发布日：2025/12/10

著录项目信息

申请日

2015-08-03

公开号

CN105118830A

公开日

2015-12-02

申请人

电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L27_06

IPC 分类号

H01L27_06 , H01L29_778 , H01L29_417 , H01L29_47 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件高电子迁移率晶体管（HEMT）氮化镓器件

应用场景

电力电子变换, 新能源汽车电驱, 充电桩, 数据中心电源, 光伏逆变器

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摘要

本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种集成SBD的增强型HEMT。本发明中源极为肖特基接触而非一般器件的欧姆接触，且源极分为两部分，一部分由源极金属形成，用以提供较高的电压阻断能力，另一部分由金属形成，用以提供更好的电流输运能力并且减低栅介质之下宽禁带半导体形成反型层所要求的栅极电压，并且提高稳定性，同时降低实现难度，另外当源极电压为正，漏极电压为负时器件构成一个SBD，具有整流能力，当器件在感性负载电路中应用时，在关断瞬间使感性负载中反向电流从集成的SBD通路得到泄放，保护了器件和整个电路安全，提高了器件和电路稳定性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20180814

✅ 授权

20151230

?? 实质审查的生效：

20151202

📄 公开

一种GaN基HEMT器件

当前第 / 件

一种具有异质结的超结逆导型IGBT

同领域国内专利 · IPC: (H01L27_06)

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