发明专利已授权

一种具有图形化结构的半导体激光器热沉及其制造方法

📄 申请号：CN202010117958.4 📄 发布日：2025/11/04

著录项目信息

申请日

2020-02-17

公开号

CN111162448B

公开日

2025-03-07

申请人

济南大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01S5_024

IPC 分类号

H01S5_024

技术画像

所属领域

半导体激光器半导体激光器热沉散热结构微纳加工

应用场景

高功率半导体激光器, 光通信, 激光加工, 激光泵浦, 光电子器件散热

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摘要

一种具有图形化结构的半导体激光器热沉及其制造方法，通过在基体上下表面预先制备了立体图形结构阵列，大幅增加了基体材料的表面积和表面化学键能，提高了与基体材料接触的功能层、过渡金属层I及过渡金属层II的粘附性的粘附性，通过在立体图形结构阵列上制造功能层，有效的结合基体材料和功能层材料热导率或热膨胀系数各自特点，调节符合材料整体的热导率或热膨胀系数，保证与半导体激光器材料本身热失配小的前提下降低热沉材料的热阻，提高散热性能，保证了激光器光电性能和可靠性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

检测芯片短路位置的方法和装置以及系统

当前第 / 件

摄像头镜头阴影补偿方法、装置、设备和摄像设备

同领域国内专利 · IPC: (H01S5_024)

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：140 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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