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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN201711281228.2 | 专利名称: | 半导体装置及其制造方法 |
申请日: | 2017-12-07 | 申请/专利权人 | 德淮半导体有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省淮安市淮阴区长江东路599号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | H01L21/762 分类检索 |
公开/公告日: | 2020-07-14 | 转让价格: | 【平台担保交易】 |
公开/公告号: | CN107993976B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
浏览量: | 4 | 所属领域: | 专利转让搜索 |
摘 要:本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括衬底,衬底包括沟槽结构部件以及由沟槽结构部件分隔开的有源区,其中,沟槽结构部件具有沟槽以及位于沟槽中的第一区域和第二区域,第二区域至少包围第一区域的底面和侧面,并且第一区域由导电材料形成,第二区域由绝缘材料形成。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |
申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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