半导体装置及其制造方法

著 录 项 目：

摘     要：本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括衬底，衬底包括沟槽结构部件以及由沟槽结构部件分隔开的有源区，其中，沟槽结构部件具有沟槽以及位于沟槽中的第一区域和第二区域，第二区域至少包围第一区域的底面和侧面，并且第一区域由导电材料形成，第二区域由绝缘材料形成。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期

  法律信息

  备注

• 申请号	专利名称	发布日期
  2019105748651	【发明】一种离子检测器及其制备方法	2025/10/17
  2019105742320	【发明】一种离子监控器及其制备方法	2025/10/17
  2018106899620	【发明】具有温差发电机构的III-VHEMT器件的制备方法	2025/10/16
  2018106886688	【发明】一种具有温差发电机构的III-V HEMT器件	2025/10/16
  2024211690809	【实用新型】一种芯片加工设备用芯片固定装置	2025/10/15
  202221955512X	【实用新型】一种晶圆覆膜机	2025/10/20
  2024213132277	【实用新型】一种用于晶体硅太阳能电池生产的石英舟	2025/10/13
  2024211902380	【实用新型】一种石英舟翻转机构	2025/10/13
  2024211115436	【实用新型】一种多支撑倾斜式石英舟	2025/10/13
  2024205521610	【实用新型】一种晶圆热处理用石英舟	2025/10/13