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著 录 项 目:
专利/申请号: | CN202210392661.8 | 专利名称: | 一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构 |
申请日: | 2022-04-15 | 申请/专利权人 | 南京文采工业智能研究院有限公司 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 江苏省南京市建邺区嘉陵江东街18号3号楼16层 |
专利状态: | 授权未缴费 查询审查信息 | 分类号: | H01L27/02分类检索 半导体专利转让搜索 |
公开/公告日: | 2022-08-05 | 转让价格: | 【平台担保交易】 |
公开/公告号: | CN114864571A | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
摘 要:本发明涉及ESD保护电路技术领域,且公开了一种硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构,包括输入电路,所述输入电路电性连接有保护电阻,所述保护电阻远离输入电路的一侧电性连接有MOS集成电路管,所述MOS集成电路管的外壁均匀的固定连接有放电针。该硅栅MOS集成电路ESD保护电路结构,使用时散热风扇吹出的风进入到进风口中,将负离子发生装置产生的负离子均匀的吹到保护管的内部,此时这些负离子可以消除MOS集成电路管附近带正电的粒子,从而达到了避免MOS集成电路产生静电现象,当电路中出现静电现象影响到MOS集成电路管时,此时经过放电针可以及时的消除电路中静电,避免MOS集成电路受到静电影响。
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
解除代理委托书(需盖公章)一式两份(如专利通过代理机构申请) | 解除代理委托书(需签字)一式两份(如专利通过代理机构申请) | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |